邢燕辉
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委重点学科建设项目北京市人才强教计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性被引量：2
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响。结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢燕辉韩军邓军沈光地
- InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究
- 2008年
- 利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN∶Mg薄膜。这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义。
- 牛南辉王怀兵刘建平邢燕辉韩军邓军沈光地
- 关键词：铟镓氮X射线双晶衍射原子力显微镜金属有机物化学气相淀积
- InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究被引量：5
- 2006年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢燕辉韩军邓军郭霞沈光地
- 关键词：发光二极管(LED)
