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谭卫东

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：信息产业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇国内会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇英寸
  • 2篇外延片
  • 2篇硅外延
  • 2篇硅外延片
  • 1篇电阻率
  • 1篇外延层
  • 1篇精确控制
  • 1篇控制方法
  • 1篇硅材料
  • 1篇掺砷
  • 1篇掺砷衬底
  • 1篇衬底
  • 1篇P

机构

  • 3篇信息产业部

作者

  • 3篇马林宝
  • 3篇陆春一
  • 3篇刘六亭
  • 3篇谭卫东
  • 2篇马利行
  • 2篇骆红

传媒

  • 3篇第十二届全国...

年份

  • 3篇2001
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术
本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型.
谭卫东陆春一骆红刘六亭马林宝马利行
关键词：硅材料外延层
文献传递
4英寸硅外延片生产中外延层缺陷的分析与控制
硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸<111>硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.
谭卫东刘六亭马林宝陆春一
关键词：硅外延片控制方法
文献传递
4英寸P/P+高阻厚层硅外延片电阻率的精确控制
本文讨论了影响P/P<'+>高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层电阻率得到精确的控制.该技术已成功地应用到4英...
谭卫东刘六亭骆红马林宝陆春一马利行
关键词：硅外延片电阻率
文献传递
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共1页<1>
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