- 3mm波段硅双漂移崩越二极管外延材料研制
- 1993年
- 报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N^+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。
- 王向武陆春一赵仲镛孙景山魏广富
- 关键词：亚微米
- X波段硅里德型双漂移崩越二极管外延材料
- 1994年
- 采用全外延工艺，研制了Ｘ波段里德型双漂移崩越二极管所需πｐｎγＮ￣＋多层外延材料，分析了各过渡区的形成机理及减小其宽度的方法，实现了陡峭的杂质浓度分布。
- 王向武陆春一赵仲镛
- 关键词：崩越二极管硅
- N^-/P^+异型高阻厚层硅外延材料
- 1997年
- 研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。
- 王向武马利行徐红钢陆春一
- 关键词：硅外延高阻厚层自掺杂
- 3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术
- 本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型.
- 谭卫东陆春一骆红刘六亭马林宝马利行
- 关键词：硅材料外延层
- 文献传递
- 4英寸重掺砷衬底N型高阻薄层硅外延片
- 陆春一马林宝谭卫东马利行刘六亭
- 该项目产品是肖特基二极管、微波功率晶体管等许多器件的关键原材料，而这些器件的制作对外延材料都有较为特殊的要求，如外延层电阻率、厚度控制精确，外延层与衬底过渡区要尽可能小，外延层晶格完整性好等等。
- 关键词：
- 关键词：硅外延片
- 一种测量ＡｌｘＧａ＃-[1-x]Ａｓ外延层Ａｌ含量的新方法
- 王间武陆春一
- 关键词：外延层折射率测量方法砷化镓
- 4英寸硅外延片生产中外延层缺陷的分析与控制
- 硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸<111>硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.
- 谭卫东刘六亭马林宝陆春一
- 关键词：硅外延片控制方法
- 文献传递
- 4英寸P/P+硅外延片批量生产工艺技术
- 陆春一马林宝谭卫东马利行
- 该攻关项目所计划的任务，并在成果转化中得到良好的社会经济效益，不但减注了与国际水平的差距，也充分说明科技攻关项目对促进部属院所科技成果转化为生产力起着关键的作用。提升器件生产技术档次，向国际水平靠拢，扩大生产规模，走规模...
- 关键词：
- 减小硅外延自掺杂的一种新方法
- 1990年
- 本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法，采用该方法，在均匀的重掺As衬底上，用SiCl4源外延，以10614-10^18/cm3浓度计算，获得了≤0．54um的过渡区宽度。
- 王向武陆春一等
- 关键词：硅半导体
- 减小硅外延自掺杂的一种新方法被引量：1
- 1992年
- 本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10^(14)～10^(18)/cm^3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓度≤1.5×10^(13)/cm^3,明显小于利用通常的二步外延工艺所得结果。
- 王向武陆春一赵仲镛
- 关键词：硅外延层掺杂衬底
