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程新红

作品数：200 被引量：65H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 156篇专利
  • 37篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 77篇电子电信
  • 9篇电气工程
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇理学
  • 3篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 25篇SOI
  • 22篇功率器件
  • 21篇电路
  • 17篇介质
  • 17篇金属
  • 15篇衬底
  • 14篇电极
  • 14篇栅介质
  • 13篇电阻
  • 13篇栅结构
  • 13篇击穿电压
  • 13篇沟道
  • 12篇电荷
  • 12篇电容
  • 11篇石墨
  • 11篇石墨烯
  • 11篇漂移
  • 10篇离子注入
  • 9篇芯片
  • 9篇缓冲层

机构

  • 198篇中国科学院
  • 27篇上海新傲科技...
  • 13篇温州大学
  • 11篇中国科学院大...
  • 6篇上海科技大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇东北微电子研...
  • 1篇中科院上海微...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇新思科技有限...

作者

  • 200篇程新红
  • 115篇俞跃辉
  • 66篇郑理
  • 66篇徐大伟
  • 52篇王中健
  • 41篇夏超
  • 33篇沈玲燕
  • 30篇宋朝瑞
  • 29篇曹铎
  • 26篇王谦
  • 23篇张栋梁
  • 20篇何大伟
  • 16篇李新昌
  • 15篇贾婷婷
  • 8篇张有为
  • 7篇李静杰
  • 5篇王曦
  • 5篇杨文伟
  • 4篇万里
  • 4篇万文艳

传媒

  • 11篇半导体技术
  • 6篇功能材料与器...
  • 3篇稀有金属材料...
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇微处理机
  • 2篇2011’全...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇核技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇微波学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇温州师范学院...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇温州大学学报...

年份

  • 21篇2024
  • 7篇2023
  • 8篇2022
  • 7篇2021
  • 15篇2020
  • 9篇2019
  • 12篇2018
  • 10篇2017
  • 9篇2016
  • 8篇2015
  • 8篇2014
  • 11篇2013
  • 24篇2012
  • 21篇2011
  • 13篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2007
  • 5篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
共 200 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件
本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件，该器件包括SOI衬底和位于所述SOI衬底之上的有源区；所述有源区包括：栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区、位于所述栅区之下的体区、位于所述体区与所述漏区之间的漂移...
程新红何大伟王中健徐大伟夏超宋朝瑞俞跃辉
文献传递
基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法
本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质...
程新红徐大伟王中健夏超曹铎宋朝瑞俞跃辉
HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究被引量：1
2006年
利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。
蒋军冯涛张继华戴丽娟程新红宋朝瑞王曦柳襄怀邹世昌
关键词：碳纳米管场发射碳化铪
一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法
本发明公开了一种基于图形化的SOIESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：底层衬底；位于所述底层衬底上的绝缘埋层；位于所述绝缘埋层上的有源区；以及穿过所述绝缘埋层连接所述有源区与底层衬底的导通栓；其中，所述有源...
程新红夏超王中健俞跃辉何大伟徐大伟
一种基于硅基GaN功率管的单片集成半桥电路及其制备方法
本发明涉及一种基于硅基GaN功率管的单片集成半桥电路及其制备方法，在硅基GaN功率器件制备完成后通过晶圆减薄、键合、凹槽刻蚀、介质隔离而得。本发明实现高低边硅基GaN功率器件的全介质隔离，彻底解决硅基GaN功率器件半桥电...
沈玲燕程新红郑理俞跃辉
一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
文献传递
一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件，其中，所述栅控二极管ESD保护器件包括：正极、负极、沟道、栅介质层和栅极；所述正极和负极分别位...
黄晓橹魏星程新红陈静张苗王曦
文献传递
一种宽输出范围的高能效双向DC/DC变换器
本发明涉及一种宽输出范围的高能效双向DC/DC变换器，包括依次连接的原边全桥电路、谐振电路、变压器和副边全桥电路，所述谐振电路包括第一谐振电感、第二谐振电感和谐振电容；所述第一谐振电感的一端与所述原边全桥电路的第一输出端...
程新红周学通
一种MIS电容的制作方法
本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O<Sub>2</Sub>，NH<Sub>3</Sub>等离子...
程新红曹铎贾婷婷王中健徐大伟夏超宋朝瑞俞跃辉
文献传递
介质钝化对GaN HEMT性能的影响
本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)...
沈玲燕程新红王中健张栋梁郑理曹铎王谦李静杰俞跃辉
关键词：ALGAN/GAN石墨烯钝化层电流崩塌
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