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郑理

作品数：66 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 61篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 25篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇金属
  • 12篇电极
  • 8篇增强型
  • 8篇石墨
  • 8篇石墨烯
  • 8篇介质
  • 8篇功率器件
  • 7篇栅介质
  • 7篇外延层
  • 7篇半桥电路
  • 6篇源区
  • 6篇探测器
  • 6篇重掺杂
  • 6篇金属电极
  • 6篇半导体
  • 6篇P-GAN
  • 6篇衬底
  • 5篇单片
  • 5篇单片集成
  • 5篇钝化层

机构

  • 66篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇上海科技大学

作者

  • 66篇郑理
  • 65篇程新红
  • 55篇俞跃辉
  • 32篇沈玲燕
  • 25篇王谦
  • 23篇张栋梁
  • 17篇曹铎
  • 16篇王中健
  • 9篇夏超
  • 8篇徐大伟
  • 7篇李静杰
  • 5篇贾婷婷
  • 2篇俞文杰
  • 1篇万文艳

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 17篇2024
  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 8篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 7篇2017
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 66 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于硅基GaN功率管的单片集成半桥电路及其制备方法
本发明涉及一种基于硅基GaN功率管的单片集成半桥电路及其制备方法，在硅基GaN功率器件制备完成后通过晶圆减薄、键合、凹槽刻蚀、介质隔离而得。本发明实现高低边硅基GaN功率器件的全介质隔离，彻底解决硅基GaN功率器件半桥电...
沈玲燕程新红郑理俞跃辉
一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
文献传递
一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法
本发明提供一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法，首先提供一SOI衬底；在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；该掩膜版在该漂移区...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
文献传递
一种提高UIS能力和栅氧可靠性的分裂栅MOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种提高UIS能力和栅氧可靠性的分裂栅MOSFET器件及其制备方法，所述分裂栅MOSFET器件包括：漏极(1)、N<Sup>+</Sup>衬底(2)、N<Sup>‑</Sup>外延层(3)、电流扩展层(4)、P...
程新红汪胜鑫郑理
基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法
本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成...
程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
文献传递
一种半导体开关器件的工作结温监测系统和方法
本发明涉及一种半导体开关器件工作结温监测系统、监测方法及过温保护方法。所述监测系统包括控制单元、驱动单元、电压检测单元和模数转换单元；其中，驱动单元与半导体开关器件的栅极连接；电压检测单元的第一采集端口、第二采集端口分别...
程新红全宇华郑理
一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法
本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏...
郑理程新红宁志军徐大伟沈玲燕王谦张栋梁顾子悦俞跃辉
文献传递
SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法
本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
文献传递
一种硅基氮化镓微波器件及制备方法
本发明涉及一种硅基氮化镓微波器件及制备方法，包括：将衬底预处理，沉积第一层钝化层；刻蚀，形成凹槽，然后沉积源极和漏极欧姆接触金属，并退火形成欧姆接触；对器件刻蚀；在第一层钝化层及欧姆接触上进行第二层钝化层的淀积，随后对第...
程新红刘晓博郑理俞跃辉
文献传递
一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法
本发明提供一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面形成石墨烯层；然后将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中，并将所述ALD腔体温度升至设定值，并通入至少一个循环的去离子水...
程新红郑理王中健曹铎王谦沈玲燕张栋梁俞跃辉
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