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石国华

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：杭州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电子辐射
  • 1篇电子辐照
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇深能级
  • 1篇树算法
  • 1篇能级
  • 1篇能谱
  • 1篇自动标引
  • 1篇字符
  • 1篇无损检测
  • 1篇吸收谱
  • 1篇硅单晶
  • 1篇硅片
  • 1篇红外吸收
  • 1篇红外吸收谱
  • 1篇俄歇电子

机构

  • 4篇杭州大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇江西大学

作者

  • 4篇石国华
  • 2篇张秀淼
  • 1篇丁扣宝
  • 1篇孙勤生
  • 1篇杨爱龄
  • 1篇竺树声

传媒

  • 2篇杭州大学学报...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子科学学刊

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1991
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
用红外吸收谱和俄歇谱研究氮化硅的成分和杂质被引量：1
1993年
本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_3流量比及衬底温度的关系,用红外吸收法分析了膜中氢的含量及其成键状态,结果表明氮化硅膜中的氢含量是较高的,且氢原子大部分都与氮原子键合,在一定的意义上,可以把此膜看作是硅-氮-氢三元系。
张秀淼石国华杨爱龄
关键词：氮化硅俄歇电子能谱
电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究
1995年
本文研究了电子辐照在氮保护气氛中生长的直拉硅单晶中引入的深能级。没有发现可检测的与氮有关的深能级。
丁扣宝张秀淼石国华孙勤生施建青
关键词：电子辐射深能级
科技文献主题词的自动标引法被引量：4
1998年
本文介绍利用后邻字符树方法对文献进行计算机自动处理，对主题词表进行重排，再结合位置信息实现科技文献主题词的自动标引．
石国华
关键词：自动标引
玷污硅片的无损检测及洁净工艺
1991年
本文讨论了XCD-H红外电视显微镜对硅片的无损检测,发现硅片在切割、研磨工艺中普遍引入了金属杂质玷污,它是降低器件成品率的主要因素之一.由实验和应用证实了简单、可行的化学腐蚀洁净硅片法去除玷污是十分有效的.
石国华竺树声卢兆伦曾庆诚
关键词：硅片无损检测
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共1页<1>
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