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孙勤生

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学微电子中心更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇深能级
  • 5篇能级
  • 3篇谱仪
  • 2篇仪器
  • 2篇分辨率
  • 2篇高分辨率
  • 2篇测量仪
  • 2篇测量仪器
  • 1篇单晶
  • 1篇电子辐射
  • 1篇电子辐照
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇瞬态
  • 1篇晶粒间界
  • 1篇硅单晶
  • 1篇NJ

机构

  • 4篇南京大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇杭州大学

作者

  • 5篇孙勤生
  • 1篇丁扣宝
  • 1篇张秀淼
  • 1篇石国华
  • 1篇赵杰

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子科学学刊

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1989
  • 1篇1986
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型
1996年
采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅电学参数──势垒高度Ｅｂ、电导率激活能Ｅａ与多晶硅掺杂浓度Ｎｃ间关系。计算结果表明，多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。
赵杰张安康魏同立孙勤生
关键词：深能级瞬态谱晶粒间界多晶硅
高分辨率深能级瞬态谱仪的设备方法与仪器
属于半导体深能级谱的测量仪器，已有的谱仪测得的谱分辨率低。本发明提出了高分辨率组合率窗系列，设计了多种方案的高分辨率组合率窗讯号处理仪，以及用此处理仪而得到的高分辨率深能级瞬态(电容)谱仪等多种高分辨率深能级谱仪。本发明...
孙勤生
文献传递
NJ·M·DLTS深能级瞬态谱仪
孙勤生
深能级瞬态谱仪ＤＬＴＳ是近几年新发展起来的一种半导体测量分析仪器。该仪器能检测本底浓度０．０００１以下由杂质、缺陷、辐射损伤等产生的微量深能级１０００００００００ｃｍ＿＿ｅＶ＿＿的ＭＯＳ、ＭＩＳ界面态，以及非晶硅的定域态...
关键词：
关键词：谱仪
电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究
1995年
本文研究了电子辐照在氮保护气氛中生长的直拉硅单晶中引入的深能级。没有发现可检测的与氮有关的深能级。
丁扣宝张秀淼石国华孙勤生施建青
关键词：电子辐射深能级
高分辨率深能级瞬态谱仪的设置方法及仪器
属于半导体深能级谱的测量仪器，本发明提出了高分辨率组合率窗系列，设计了多种方案的高分辨率组合率窗讯号处理仪，以及用此处理仪而得到的高分辨率深能级瞬态（电容）谱仪等多种高分辨率深能级谱仪，本发明仪器所得实验谱线与已有相比，...
孙勤生
文献传递
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