潘丽
- 作品数：63 被引量：31H指数：4
- 供职机构：中国科学院光电技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国防科技技术预先研究基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术理学更多>>
- 一种硅基悬空的金属纳米针孔及其加工方法
- 本发明提供一种硅基悬空的金属纳米针孔及其加工方法，该纳米针孔制作于硅基悬空的金属薄膜上。其制作流程包括：选取双面抛光硅片，在硅片的上表面沉积金属膜，再在硅片的两个表面分别沉积氮化硅膜。然后在硅片上表面涂光刻胶进行光刻，刻...
- 邱传凯岳衢潘丽余翔李国俊李飞周崇喜饶学军
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- 一种制作微透镜列阵的方法
- 本发明公开了一种制作微透镜列阵的方法。该方法包含设计、制作二元掩模，将掩模经光学系统投影在光刻材料上，在曝光过程中移动掩模，刻蚀、复制等步骤。该方法克服了二元光学方法、激光直写技术、光刻热熔法等方法存在的缺陷和上述方法在...
- 陈波曾红军杜春雷郭履容潘丽邓启凌周礼书邱传凯
- 文献传递
- 一种利用显微镜测量自撑膜的弹性变形量的方法
- 一种利用显微镜测量自撑膜弹性变形量的方法，属于薄膜性能测量领域。其特征在于以下步骤：(1)选择基片材料，并在其上制作有机膜；(2)在有机膜材料上面制作金属膜层以及光栅做为标记图形；(3)于基片另一面进行湿法腐蚀，仅留下有...
- 邢卉王长涛罗先刚潘丽方亮刘尧刘玲刘凯鹏
- 文献传递
- AZ9260光刻胶制作连续非球面微透镜阵列的研究被引量：4
- 2003年
- 为解决研制深浮雕连续非球面微光学元件所面临的浮雕深度和面型控制这两大难点,选取吸收系数小的AZ9260正性光刻胶进行实验研究。提出了采用低温长时间前烘和连续升温后烘技术实现深浮雕结构和非球面面型的控制,并得到口径为300μm、抗蚀剂厚度为35.49μm、石英刻蚀深度为72.36μm双曲线柱面透镜的最佳光刻工艺参数。实验曲线与标准双曲线拟合所得最大误差为2.3637μm,均方根差为0.9779μm。
- 张晓玉姚汉民杜春雷潘丽邱传凯
- 关键词：光刻
- 红外面阵焦平面探测器
- 本实用新型是一种红外面阵焦平面探测器,属于对红外探测器的改进。本实用新型由红外探测器与集成在其上的微透镜阵列构成红外面阵焦平面探测器。该红外面阵焦平面探测器既提高了红外探测器的探测率,同时又克服了现有耦合式红外探测器体积...
- 杜春雷邱传凯白临波潘丽王永茹
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- 一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法
- 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面...
- 潘丽岳衢胡承刚张铁军李飞罗先刚邱传凯周崇喜
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- 微透镜列阵与红外探测器列阵集成芯片的研究被引量：4
- 2003年
- 在分析微透镜列阵光聚能原理的基础上,针对背照式256290铂硅红外焦平面探测器列阵 的结构参数,设计了衍射微透镜列阵,使入射光通过硅基底聚焦至探测器的各个光敏面上, 提高光能利用率从而增强探测能力。实验获得了微透镜列阵与红外焦平面集成芯片,并在热成像中取得了良好的结果。
- 杜春雷邱传凯邓启凌潘丽白临波王永茹
- 关键词：微透镜列阵红外探测器集成芯片热成像
- 微透镜列阵光刻工艺过程的模拟与分析被引量：2
- 2003年
- 建立了连续深浮雕微透镜列阵光刻工艺的数学模型,通过计算机仿真实现了对工艺过程的模拟分析。为刻蚀过程中各参量的选取和刻蚀结果的分析提供了可靠的依据,对整个光刻工艺过程具有指导意义。
- 董小春杜春雷陈波潘丽
- 关键词：微透镜列阵光刻工艺计算机仿真微光学元件
- 显微定位加力观测板
- 本发明公开一种全新的显微定位加力观测板，由用于显微定位及比较观察的微结构层和用于承载加力板的基底组合而成，通过微结构层的图形或标注对比观察判断被观察物大小、形状，实现定位观测。本发明用微细加工的方法制作不同形状的微结构或...
- 邓启凌杜春雷李志华潘丽侯德胜
- 文献传递
- 一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法
- 一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：在掩模上加工出可供沉积粒子通过的狭缝；在膜料沉积过程中移动掩模狭缝，使沉积区域在基片上移动；通过控制基片各个区域的沉积时间来控制各区域沉积的膜厚，从而对膜层的厚度分布进行调...
- 罗先刚王长涛冯沁刘凯鹏刘玲潘丽刘尧邢卉方亮
