李树强
- 作品数：26 被引量：19H指数：3
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划高等学校科技创新工程重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- Mg掺杂AlInP 650 nmLD外延片的Zn扩散研究
- 2006年
- 利用石英闭管法,对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散,分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响。采用光致发光(PL)谱和电化学蒸涂(ECV)方法研究了Zn扩散产生的影响。PL谱结果表明,Zn扩散引起了AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)有源层的组分无序,使PL谱的峰值蓝移,最大蓝移为54 nm,约175 meV。ECV测量结果显示,Zn已经扩散到MQW有源区,MQW区域的p型载流子浓度为4.4×1017cm-3。
- 李树强马德营夏伟陈秀芳张新任忠祥徐现刚蒋民华
- 关键词：ZN扩散
- 一种高击穿电压增强型氮化镓器件及其制备方法
- 本发明涉及一种高击穿电压增强型氮化镓器件及其制备方法，属于微电子晶体管研究技术领域，包括衬底以及位于衬底上的AlN成核层、无掺杂GaN缓冲层、AlN插层、AlGaN势垒层、无掺杂GaN层，AlGaN势垒层上方左侧为第一p...
- 崔鹏代嘉铖汉多科•林纳威赫崔潆心钟宇徐明升韩吉胜李树强徐现刚
- 湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究被引量：7
- 2010年
- 利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响。扫描电镜(SEM)测试结果表明:随着腐蚀液温度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增加,光致发光谱(PL)发光强度逐渐增加。管芯结果表明,LED管芯的光强也逐渐增加。
- 邵慧慧李树强曲爽李毓锋王成新徐现刚
- 关键词：湿法腐蚀蓝宝石图形衬底GAN外延层
- 半导体器件和半导体器件的制造方法
- 本发明公开了一种半导体器件和半导体器件的制造方法，属于半导体器件领域，包括：半导体衬底；第一半导体层；第二半导体层；栅沟槽；伪深沟槽；绝缘层；栅极；第一包裹半导体区域；第二包裹半导体区域；由碳化硅制成的第一半导体区域，具...
- 汉多科·林纳威赫韩吉胜崔鹏徐明升钟宇崔潆心徐现刚李树强
- 一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用
- 本发明涉及一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用，包括：在SiC衬底正面的SiC外延层上制备高掺杂的源极区域，在SiC衬底背面制备用于漏极区域接触的微沟道结构；采用LPCVD的方法在源极区域和漏极区域同时沉积3C‑Si...
- 汉多科·林纳威赫钟宇韩吉胜徐明升崔鹏崔潆心李树强徐现刚
- 一种晶片连续剥离装置及晶片连续剥离方法
- 本发明公开了一种晶片连续剥离装置及晶片连续剥离方法，包括如下步骤：采用超短脉冲激光在晶锭中形成多个剥离层，相邻剥离层之间的距离为晶片的厚度；将晶锭放置于提升平台上，调整提升平台的高度，使晶锭的最上方剥离层与夹爪的上表面平...
- 王荣堃李碧雪徐现刚陈秋李树强张百涛车林林张建飞姚勇平
- PIN结构发光二极管反向击穿特性分析被引量：3
- 2006年
- 通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)有源区AlGaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理论分析非常吻合。同时获得了AlGaInPMQW结构的临界反向击穿电场强度数值。这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考。
- 李树强夏伟马德营张新徐现刚蒋民华
- 关键词：发光二极管(LED)反向击穿电压PIN结构
- 一种在SiC衬底上制备的发光二极管
- 本发明提供了一种在SiC衬底上制备的发光二极管，其结构自上而下依次包括p型AlInGaN层、发光层、n型AlInGaN层和衬底，在p型AlInGaN层设有正极，在n型AlInGaN层设有负极，衬底为透明的SiC单晶晶片，...
- 徐现刚宁丽娜李树强胡小波蒋民华
- 文献传递
- 一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法
- 本发明涉及一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法，属于微电子器件技术领域。膜层结构自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和帽层；金属电极穿过帽层生长在势垒层上。本发明在退火前增加了Asher+HC...
- 崔鹏罗鑫徐明升崔潆心钟宇李汉和李树强韩吉胜徐现刚
- 一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法
- 本发明涉及一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法，包括：1)在固定漏端偏压下，测试得到不同栅偏压下GaN基HEMT的S参数；2)计算不同栅偏压下GaN基HEMT的栅电容C<Sub>g</Sub>；3)根据...
- 崔鹏陈思衡钟宇李汉和徐明升崔潆心李树强韩吉胜徐现刚
