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李有群
作品数:
3
被引量:18
H指数:2
供职机构:
南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
电子信息产业发展基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
周毛兴
南昌大学材料科学与工程学院教育...
莫春兰
南昌大学材料科学与工程学院教育...
刘和初
南昌大学材料科学与工程学院教育...
江风益
南昌大学材料科学与工程学院教育...
刘卫华
南昌大学材料科学与工程学院教育...
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李有群
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功能材料与器...
年份
3篇
2006
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Si衬底GaN基LED理想因子的研究
被引量:9
2006年
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。
刘卫华
李有群
方文卿
周毛兴
刘和初
莫春兰
王立
江风益
关键词:
SI衬底
GAN
LED
Si衬底GaN基同侧结构蓝光LED电致发光特性研究
近几年来,在Si衬底上生长GaN取得了很大的进展,有少数几家研究组报道在Si衬底上制备出了GaN基发光器件。但对其LED器件性能的研究并未深入。其发光层InGaN量子阱内来自于材料本身自发极化与应力诱导的压电极化而产生的...
李有群
关键词:
SI衬底
GAN
文献传递
Si衬底GaN基LED的结温特性
被引量:9
2006年
结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现S i衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为S i有更好的导热性。同时也表明:用S i作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。
刘卫华
李有群
方文卿
莫春兰
周毛兴
刘和初
熊传兵
江风益
关键词:
SI衬底
GAN
发光二极管
结温
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