您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇导电薄膜
  • 2篇等离子体辅助
  • 2篇电阻
  • 2篇读操作
  • 2篇随机存储器
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇存储器
  • 2篇存储元件

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇甘小燕
  • 2篇于伟东
  • 2篇李效民
  • 2篇何邕
  • 2篇吴亮
  • 2篇张锋
  • 2篇高相东

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件,特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极,以ZnO薄膜为中间层,以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M...
李效民张锋于伟东高相东何邕甘小燕吴亮
一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件,特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极,以ZnO薄膜为中间层,以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M...
李效民张锋于伟东高相东何邕甘小燕吴亮
文献传递
共1页<1>
聚类工具0