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吴亮

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇导电薄膜
  • 2篇等离子体辅助
  • 2篇电阻
  • 2篇读操作
  • 2篇随机存储器
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇存储器
  • 2篇存储元件
  • 1篇P型
  • 1篇P型ZNO
  • 1篇P型ZNO薄...

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇吴亮
  • 2篇甘小燕
  • 2篇于伟东
  • 2篇李效民
  • 2篇何邕
  • 2篇张锋
  • 2篇高相东
  • 1篇吴永庆
  • 1篇王炜

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件,特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极,以ZnO薄膜为中间层,以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M...
李效民张锋于伟东高相东何邕甘小燕吴亮
一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件,特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极,以ZnO薄膜为中间层,以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M...
李效民张锋于伟东高相东何邕甘小燕吴亮
文献传递
双离子注入制备p型ZnO薄膜
<正>ZnO作为一种新型宽禁带半导体材料,由于其具有较大的禁带宽度和较高的激子束缚,是一种理想的短波长发光材料,在短波长发光二极管、激光器、探测器和太阳能电池等方面有着广阔的应用前景。实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜...
吴永庆王炜吴亮
文献传递
共1页<1>
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