孔金霞
- 作品数：21 被引量：39H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 磨抛夹具
- 本发明提供了一种磨抛夹具，包括：限位柱套、N个固定柱和M个限位柱；限位柱套的内部开有N个贯穿限位柱套的固定孔；N个固定柱分别安装在所述固定孔中，其直径与所述固定孔的直径相匹配，并可在所述固定孔内上下滑动和自由转动；所述固...
- 孔金霞刘素平马骁宇
- 文献传递
- 用于单管芯激光二极管测试老化夹具及使用方法
- 一种用于单管芯激光二极管的测试老化夹具，包括：一水座，其上表面有一个定位凹槽，该水座两端开有入水口和出水口；一底座，其上有施压片，施压片的一端有两个施压杆；一施压模块，其主体呈U形结构，施压模块主要由两部分组成，施压杆和...
- 孔金霞祁琼仲莉井红旗刘素平马骁宇
- 文献传递
- Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究被引量：1
- 2022年
- 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索。本文使用Si介质层作为扩散源,采用管式炉高温退火的方法进行Si杂质扩散诱导量子阱混杂研究。实验并分析了介质膜厚度、退火条件、量子垒材料、牺牲层材料等因素对InGaAs/GaAs(P)量子阱蓝移量的影响。实验发现,量子阱和量子垒的混杂效果随着扩散时间以及退火温度增加而增大,且对温度尤其敏感。当退火条件为780℃、10 h时,InGaAs/GaAsP结构的波长蓝移量达到70.5 nm,量子垒为GaAsP时比GaAs有更好的促进蓝移效果。相同外延结构下,InGaP牺牲层结构相比AlGaAs牺牲层有更大的波长蓝移。
- 王予晓朱凌妮仲莉孔金霞孔金霞刘素平
- 关键词：量子阱混杂半导体激光器
- InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构
- 一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层制作在衬底上；一下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子-空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下...
- 孔金霞徐波王占国
- 一种有多色响应的量子点红外探测器
- 本发明公开了一种有多色响应的量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上；一组分渐变AlGaAs层制作在下GaAs隔离层上；一Al<Sub>0...
- 贾亚楠徐波孔金霞王占国
- 高性能半导体激光器与探测器材料外延技术的研究与应用
- 马骁宇熊聪刘素平仲莉林楠孔金霞李伟祁琼王翠鸾朱凌妮井红旗张海艳李秀芳罗泓倪羽
- MOCVD外延生长技术是半导体激光器和探测器最核心、最关键的技术，外延材料生长的质量和器件的外延结构会直接影响到器件各项光电参数性能。如何能有效的降低材料生长过程中产生的缺陷，提高材料的均匀性，获得晶体质量完美的零缺陷材...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器探测器
- AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响被引量：1
- 2018年
- 为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响。利用MOCVD生长975nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72%的AlN过渡热沉封装器件表面颜色明显不同于组分相对较高的,空洞较多,平均波长红移约5nm,在寿命试验中过早失效,最终得出AuSn焊料中Au组分比重最好大于72%,小于80%,才能保证封装器件焊接质量,为实际生产和使用提供了指导意义。
- 井红旗倪羽茜刘启坤仲莉孔金霞王鑫刘素平马骁宇
- 关键词：半导体激光器热阻
- 一种电镀夹具及其使用方法
- 本公开提供了一种电镀夹具，包括：一下片，用于放置待镀铟件，中间有一第一矩形方口，第一矩形方口的第二长边上设置有电极，第一矩形方口的第一长边上设置有一导轨，用于支撑待镀铟件；一中片，所述中片为L形，所述L形的长边对应所述下...
- 刘素平孔金霞朱凌妮刘启坤马骁宇
- 文献传递
- 高功率半导体激光器陶瓷封装散热性能研究被引量：14
- 2016年
- 为实现半导体激光器单管的高功率输出,研究了使用氮化铝和碳化硅两种陶瓷材料制成的三明治型过渡热沉的散热性能。首先使用有限元分析方法计算,然后利用光谱法测量激光器的工作热阻。数值计算和实验测量结果均显示,碳化硅制成的过渡热沉所封装器件的工作热阻更低,散热效果更好。此外,实验进一步测试了器件的光电特性,结果表明碳化硅陶瓷制成的过渡热沉封装器件的电光转换效率更高、输出功率更大。915 nm附近单管器件在注入电流15 A时的输出功率为16.3 W,最高电光转换效率达到了68.3%。
- 倪羽茜井红旗孔金霞祁琼刘素平马骁宇
- 关键词：高功率半导体激光器有限元分析热阻
- InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构
- 一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层制作在衬底上；一下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子-空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下...
- 孔金霞徐波王占国
- 文献传递
