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刘素平

作品数:218 被引量:334H指数:11
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技重点实验室基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学电气工程更多>>

文献类型

  • 135篇专利
  • 79篇期刊文章
  • 3篇科技成果

领域

  • 104篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 169篇激光
  • 152篇激光器
  • 118篇半导体
  • 103篇半导体激光
  • 100篇半导体激光器
  • 29篇光纤
  • 25篇腔面
  • 24篇二极管
  • 23篇热沉
  • 22篇激光二极管
  • 20篇功率
  • 20篇功率半导体
  • 17篇刻蚀
  • 17篇波导
  • 15篇外延片
  • 15篇量子阱混杂
  • 15篇面发射
  • 15篇面发射激光器
  • 15篇发射激光器
  • 14篇透镜

机构

  • 217篇中国科学院
  • 44篇中国科学院大...
  • 3篇长春理工大学
  • 2篇北京大学
  • 2篇中国原子能科...
  • 2篇华北电力大学
  • 1篇广东华快光子...

作者

  • 217篇刘素平
  • 211篇马骁宇
  • 72篇仲莉
  • 58篇熊聪
  • 51篇王翠鸾
  • 41篇井红旗
  • 39篇李伟
  • 29篇赵懿昊
  • 27篇冯小明
  • 26篇王鑫
  • 25篇祁琼
  • 23篇王俊
  • 20篇林楠
  • 16篇朱凌妮
  • 15篇孔金霞
  • 15篇吴霞
  • 14篇刘媛媛
  • 13篇罗泓
  • 11篇韩淋
  • 10篇崇锋

传媒

  • 17篇中国激光
  • 14篇发光学报
  • 13篇光学学报
  • 6篇半导体光电
  • 5篇红外与激光工...
  • 4篇半导体技术
  • 3篇Journa...
  • 3篇光子学报
  • 3篇高技术通讯
  • 2篇光电子.激光
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇中国光学
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇中国光学(中...

年份

  • 9篇2024
  • 19篇2023
  • 18篇2022
  • 15篇2021
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  • 19篇2019
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  • 11篇2017
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  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 12篇2011
  • 20篇2010
  • 5篇2009
  • 12篇2008
  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
218 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大功率激光二极管及组件
马骁宇刘素平仲莉王俊罗泓张海燕
该成果属于光电子学与激光技术领域。成果研制出100W/bar-300W/bar的准连续叠层器件,激射波长包括808nm、915nm、940nm,峰值电光转换效率55%-60%,实现了千瓦-万瓦级功率输出。该成果技术创新点...
关键词:
关键词:激光二极管固体激光器
新型激光二极管列阵光束整形方法
2010年
设计并制作了一套简单有效的光束整形系统,用以改善激光二极管列阵器件(LDA)的光束质量,减小快慢轴光束质量积的差别,实现高亮度光纤耦合输出。首先采用快慢轴准直透镜压缩LDA的发散角,然后采用双面分区镀膜的单片平面镜,通过反射和折射将压缩后的LDA慢轴方向的光束分为7束,并将7束子光束在快轴方向重新排列,实验测得整形装置的效率为95.2%。该整形系统设计简单,效率高,具有很高的应用价值。
吴芃王翠鸾韩淋刘媛媛李伟冯小明刘素平马骁宇
关键词:半导体激光器光束整形高亮度
砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用被引量:19
2019年
综述了世界各国近年来在大功率半导体激光器方面所取得的研究成果,重点介绍了砷化镓基近红外大功率半导体激光器在输出功率、亮度、电光转换效率、光束质量、寿命与可靠性方面的研究进展。结合目前市场分析,详细阐述了半导体激光器的应用前景,展望了未来大功率半导体激光器的发展趋势。
袁庆贺井红旗张秋月仲莉刘素平马骁宇
关键词:激光器大功率半导体激光器输出功率光束质量
140W高功率非对称宽波导980nm半导体激光器被引量:2
2009年
为了提高半导体激光器(LD)的出光功率,优化了P型波导层以及限制层的厚度。将光场的对称分布变成非对称分布,降低了有源区的光限制因子,从而降低了器件腔面的功率密度,避免器件出现腔面灾变损伤(COD);提高LD的电光转换效率,减小器件的散热路径,降低器件的热阻,从而有效抑制了器件的热饱和。设计并制作了非对称宽波导980 nm高功率LD。器件的综合测试性能为:当器件的注入电流为161 A时,器件的输出功率达到139.6 W,对应的斜率效率、电压和电光转换效率分别为0.91 W/A、1.79 V和48.4%。
王冠崇锋熊聪王俊赵懿昊刘素平马骁宇
关键词:高功率
半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器
一种半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器,该封装方法包括:在过渡热沉的凸台上镀焊料,得到过渡热沉一;在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片;将得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。本发明的绝热封装方法中空气隙的引入...
赵碧瑶井红旗刘翠翠刘素平马骁宇
叠层LD光纤光导椎泵浦光纤激光器的制作方法
一种叠层LD光纤光导椎泵浦光纤激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:采用光学微加工工艺在石英或特种玻璃材料上加工制作光导椎,该光导椎为条状的六面体,其纵向一端的断面为斜向,且制作有光纤凹槽,纵向另一端的断面...
王大拯冯小明王勇刚刘素平马骁
文献传递
高性能半导体激光器与探测器材料外延技术的研究与应用
马骁宇熊聪刘素平仲莉林楠孔金霞李伟祁琼王翠鸾朱凌妮井红旗张海艳李秀芳罗泓倪羽
MOCVD外延生长技术是半导体激光器和探测器最核心、最关键的技术,外延材料生长的质量和器件的外延结构会直接影响到器件各项光电参数性能。如何能有效的降低材料生长过程中产生的缺陷,提高材料的均匀性,获得晶体质量完美的零缺陷材...
关键词:
关键词:半导体激光器探测器
259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵(英文)被引量:2
2008年
通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺,采用低压金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP单量子阱分别限制异质结激光器材料,并利用该材料制备了填充因子为50%的1cm宽线列阵激光巴条,用扫描电子显微镜(SEM)分析了隔离槽的形貌.在准连续工作条件(200μs脉宽,2%占空比)下,封装在被动制冷标准铜热沉上的器件在测试设备允许的最大驱动电流300A时可获得259W的输出功率,未观察到腔面光学灾变性损伤的发生.最高功率转换效率在工作电流为104A时达52%,此时输出功率为100W,激射光谱的中心波长为807.8nm,半高宽为2.4nm,快慢轴远场发散角分别为29.3°和7.5°.
刘素平仲莉张海燕王翠鸾冯小明马骁宇
关键词:激光二极管列阵准连续
一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路
本发明公开了一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路,该半导体激光器驱动电路包括脉冲控制电路、驱动电路、高压端、低压端、TTL信号端和接地端,其中,脉冲控制电路同时连接于驱动电路、低压端、TTL信号端和接地端,驱动电路同时...
祁琼熊聪刘素平马骁宇
文献传递
采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法
本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器,包括:P型衬底;在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层;在P型限制层上形成有P型波导层;在P型波导层上形成有有源层;在有源层上形成有N型波导层,N型波导层...
刘振武仲莉马骁宇刘素平熊聪
文献传递
共22页<12345678910>
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