刘志军
- 作品数：24 被引量：40H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 基于GaN HEMT的13～17GHz收发多功能芯片被引量：3
- 2017年
- 基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计制作了一款收发(T/R)多功能芯片(MFC),主要用于射频前端收发系统。该芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯片具有低噪声性能、高饱和输出功率和高功率附加效率等特点。芯片接收通道的LNA采用四级放大、单电源供电、电流复用结构,发射通道的功率放大器采用三级放大、末级四胞功率合成结构,选通SPDT开关采用两个并联器件完成。采用微波在片测试系统完成该芯片测试,测试结果表明,在13~17 GHz频段内,发射通道功率增益大于17.5 dB,输出功率大于12 W,功率附加效率大于27%。接收通道小信号增益大于24 dB,噪声系数小于2.7 dB,1 dB压缩点输出功率大于9 dBm,输入/输出电压驻波比小于1.8∶1,芯片尺寸为3.70 mm×3.55 mm。
- 张磊付兴昌刘志军徐伟
- 一款高精度大衰减量单片数控衰减器被引量：9
- 2012年
- 介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减位,选择合适的衰减拓扑。通过采用创新的大衰减量衰减结构,既实现了63.5 dB的大衰减量,又满足其衰减精度的要求,还达到了整个单片数控衰减器低插入损耗和高衰减精度的目标。单片电路测试结果为:在3～100 MHz工作频率范围内,插入损耗≤2.2 dB,驻波比≤1.4∶1,衰减范围为0.5～63.5 dB。测试结果表明设计方法有效、可行。电路尺寸为3.5 mm×1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V。
- 刘志军高学邦
- 关键词：数控衰减器砷化镓
- 反馈式宽带MMIC放大器的设计与实现被引量：5
- 2009年
- 介绍了用Agilent ADS软件设计的一种反馈式GaAs MMIC宽带放大器。采用单级GaAs微波场效应管,电路结构上通过并联负反馈的形式增加带宽,可以覆盖2～18GHz频带,增益大于6dB,输入输出驻波比3∶1;采用5～8V单电源供电,电流35mA,芯片面积1.5mm×1.5mm×0.1mm。具有面积小,使用方便的特点,可以用来补充通道增益,也可以多级级联,用于增益需求比较高的场合,可广泛应用于各种微波系统。
- 刘文杰刘志军高学邦
- 关键词：宽带放大器砷化镓微波单片集成电路场效应管单电源
- 微波天线可拆卸的电子烟
- 本发明提供了一种微波天线可拆卸的电子烟，属于电子烟技术领域，包括：针式微波天线、连接器、旋紧螺母以及退烟筒，针式微波天线包括天线座及固设于天线座上的微波天线。连接器包括连接座以及固设于连接座上的置烟筒，置烟筒内设有分隔墙...
- 吴磊许春良蔡道民刘志军李晓亮王民娟李通邬佳晟陈晓宇谭仁超顾占彪
- C波段高增益低噪声放大器单片电路设计被引量：4
- 2009年
- 主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果。电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现。为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置RLC并联再串联电阻吸收网络的方法,降低了带外低频端的高增益,从而消除了多级级联低噪声放大器电路中由于低频端增益过高产生的振荡。通过电路设计与版图电磁验证相结合的方法,使本产品一次设计成功。本单片采用三级放大,工作频率为5～6GHz,噪声系数小于1.15dB,增益大于40dB,输入输出驻波比小于1.4∶1,增益平坦度ΔGp≤±0.2dB,1dB压缩点P-1≥10dBm,直流电流小于90mA。
- 刘志军高学邦吴洪江
- 关键词：C波段低噪声放大器微波单片集成电路电磁仿真
- 一种射频直流偏置电路及微波功率放大器
- 本发明提供一种射频直流偏置电路及微波功率放大器，该射频直流偏置电路包括：级联连接的至少两个扇形模块；每个扇形模块均包括扇形偏置线、四分之一波长高阻线、滤波电阻、滤波电容；对于某个扇形模块，其四分之一波长高阻线的第一端与其...
- 顾占彪许春良刘志军高洪民张之梁任小永陈乾宏王书杰孙长友张岫青牛海君
- 多收发通道芯片在片测试系统及方法
- 本发明提供一种多收发通道芯片在片测试系统及方法。该测试系统包括：第一多头射频探针、第二多头射频探针、微波开关、测量仪器和工控机；第一多头射频探针的各个探针头用于连接目标芯片一侧对应的各个射频信号端口，第二多头射频探针的各...
- 樊渝许春良陈兴李梦琪刘志军静亚薇田景旺
- 文献传递
- 基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器
- 本申请适用于半导体及微电子技术领域，提供了基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器，包括：输入单元、输出单元、第一时钟信号单元、第二时钟信号单元、第一有源电阻单元、第二有源电阻单元、第三有源电阻单元和第四有源电阻单元；当第...
- 龚剑赵子润魏洪涛刘会东李远鹏刘志军
- 一种射频放大器的负载失配监测电路及射频放大器
- 本申请适用于半导体微波集成电路领域，提供了一种射频放大器的负载失配监测电路及射频放大器。该负载失配监测电路包括：采样电路的第一端、采样电路的第二端接入原射频放大电路负载前端，采样电路的第三端与电压放大电路的第一端相连接，...
- 陈晓宇许春良蔡道民李晓亮刘志军李通邬佳晟谭仁超吴磊顾占彪
- 2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片被引量：11
- 2013年
- 在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号。电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm。在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高。
- 刘志军陈凤霞高学邦崔玉兴吴洪江
- 关键词：耗尽型TTL数控衰减器赝配高电子迁移率晶体管
