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电源箱: 本实用新型提供了一种电源箱，属于电气设备技术领域，包括箱体、多条翅片、连接部、多个壳体和注胶孔。箱体用于安装功率半导体，箱体下端面一体成型有多条翅片，箱体下端面的两侧设有用于连接无人机机身的连接部；多个壳体，间隔安装于箱...; 顾占彪郭贺军耿玉川张英孙维义徐森锋张之梁任小永陈乾宏唐家承姚恺奇朱文铭

一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具: 本实用新型公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本实用新型包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路...; 林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪; 文献传递

一种超临界流体状态下生长晶体的装置及方法: 本发明公开了超临界流体状态下生长晶体的装置及方法，属于半导体材料的制备领域，所述装置包括炉体、上下设置在炉体内部的高温室、生长室和贯穿高温室、生长室的反应气体通道；在高温室中的坩埚中放置单质熔体，将超临界流体通过反应气体...; 王书杰孙聂枫史艳磊王阳徐森锋顾占彪张晓丹康永赵红飞李亚旗

GaN超高频谐振反激变换器被引量：3: 2020年; 同等电压应力下的GaN器件相比Si器件具有更低的导通电阻Rds(on)(on-resistance)及门极充电电荷Qg,能够大幅降低驱动和开关损耗,有利于提高变换器效率及功率密度。在低压小功率场合的超高频VHF(very high freque-ncy)谐振反激变换器中,提出了一种集成空芯变压器,大幅减小了印制电路板PCB(printed circuit board)面积,提高了功率密度。同时通过有限元分析FEA(finite element analysis)设计样机结构,确保变压器磁场不会影响其他器件。应用该方案搭建了3台5 V输入、5 V/2 W输出的超高频谐振反激变换器,分别为20-MHz Si方案、30-MHz GaN方案和50-MHz GaN方案。其中,50-MHz GaN方案样机实现了39.4 W/in3的功率密度,相比20-MHz Si方案提升41%。同时,在效率接近的前提下,3台变换器的高度都不足商用产品的一半。; 顾占彪许可唐家承李志斌张之梁任小永; 关键词：氮化镓超高频高功率密度

一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置: 本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；使用装置时，首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶...; 王书杰孙聂枫邵会民李晓岚顾占彪高颖姜剑康永张鑫谷伟侠

带隔离的三等分功率分配器及微波发射系统: 本发明提供一种带隔离的三等分功率分配器及微波发射系统，其中，带隔离的三等分功率分配器，包括：一个分配比为1:2的第一混合环和一个分配比为1:1的第二混合环；第一混合环的第一端口为信号输入端，第一混合环的第二端口连接第二混...; 顾占彪高洪民张之梁任小永陈乾宏王书杰谭超徐森锋

一种低温生长低缺陷化合物半导体单晶的稳态制备方法: 本发明提出了一种低温生长低缺陷化合物半导体单晶的稳态制备方法，属于半导体材料制备领域，通在温度梯度下进行狭窄的横向富铟区域迁移，进而实现磷化铟晶体生长，同时设置纵向富铟区域补充横向富铟区域的补充元素损失，保障晶体的稳态生...; 王书杰孙聂枫李贺斌史艳磊邵会民顾占彪李晓岚王阳

一种加热烟具: 本申请适用于加热烟具技术领域，提供了一种加热烟具，包括：电池、射频电路、谐振腔、屏蔽罩和外壳，电池、射频电路、谐振腔、屏蔽罩设置在外壳内部；电池与射频电路电连接，用于为射频电路供电；射频电路用于产生射频信号；谐振腔与射频...; 李晓亮许春良蔡道民刘志军高学邦陈晓宇宋俊魁吴磊顾占彪

一种LEC生长系统中通过VGF制备化合物晶体的方法: 本发明提出了一种LEC生长系统中通过VGF制备化合物晶体的方法，属于晶体制备技术领域，本发明通过控制多段加热系统，在液封提拉系统的坩埚的熔体中生长磷化铟晶体，当晶体尺寸大于所需尺寸以后，降低系统的压力使得熔体中的磷气体不...; 王书杰孙聂枫史艳磊顾占彪邵会民张文雅李晓岚王阳姜剑康永谷伟侠

一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置: 本发明提供一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，涉及半导体晶体制备技术领域。该半导体晶体生长及原位退火的方法，包括以下过程：S1.首先将坩埚盖焊接或烧结至坩埚上，然后向坩埚内部放置固体氧化硼和固体磷化铟，然后将坩埚放...; 王书杰孙聂枫邵会民徐森锋顾占彪张文雅史艳磊李晓岚王阳

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顾占彪