马晋毅
- 作品数：206 被引量：255H指数：9
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 一种印制板叠层封装结构及其制备方法
- 本发明提供一种印制板叠层封装结构及其制备方法，包括：上下堆叠的至少两层封装体，每层封装体包括：印制电路板、多个封装芯片器件和多个压合片围框；多个压合片围框设置在印制电路板的上面，每个封装芯片器件设置在两个压合片围框之间；...
- 李亚飞张宁宁张钧翀黄莹杨桃均唐盘良陈彦光马晋毅
- 宽带温度补偿型声表面波滤波器的设计与优化
- 2024年
- 提出了一种宽带温度补偿型声表面波滤波器的设计方法。通过研究铌酸锂衬底不同欧拉角、不同电极材料和厚度对声表面波谐振器频率响应和杂散抑制的影响,确定了宽带温度补偿型声表面波滤波器的最佳切向和电极结构。所制备的宽带声表面波滤波器的温度系数优于-18.9×10^(-6)/℃,-3 dB相对带宽为7.84%,插入损耗为0.93 dB,展现出良好的带外抑制。
- 谭发曾李桦林马晋毅陈文远胡明浪杜雪松詹雪奎
- 关键词：声表面波滤波器宽带温度补偿
- TC-SAW SiO_(2)温补层性能研究
- 2025年
- 为制备高性能的TC-SAW SiO_(2)温补层,分别采用电子束蒸发镀膜和反应磁控溅射制备SiO_(2)薄膜,研究两种制备工艺对SiO_(2)薄膜致密性、表面粗糙度及弹性模量的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X线衍射仪对SiO_(2)薄膜的形貌和晶体结构进行分析。采用椭偏仪测试薄膜折射率及腐蚀后的膜厚变化量,并通过纳米压痕仪测量计算薄膜的硬度和弹性模量。结果表明,反应磁控溅射制备的SiO_(2)薄膜更致密、薄膜表面粗糙度更小、弹性模量更大。采用反应磁控溅射制备的SiO_(2)薄膜作为TC-SAW温补层,可以获得频率温度系数为-8.6×10^(-6)/℃的TC-SAW器件。
- 贺贞李燕田本朗马晋毅肖强梁柳洪
- 关键词：反应磁控溅射
- 一种S波段窄带压电单晶复合薄膜的声表面波滤波器
- 本发明公开了一种S波段窄带压电单晶复合薄膜的声表面波滤波器，包括压电衬底、绝缘层、压电薄膜层和电极层，所述绝缘层设于所述压电衬底和所述压电薄膜层之间，且所述绝缘层的两个端面分别与所述压电衬底和所述压电薄膜层键合为一体，所...
- 潘虹芝陈正林杜雪松马晋毅郑泽渔董加和肖强陈彦光白涛
- 基于有限元分层级联技术SAW滤波器精确计算被引量：5
- 2022年
- 针对任意复杂结构声表面波(SAW)器件精确快速分析及其内部多物理场耦合效应的精确表征问题,该文在充分考虑SAW器件实际存在的各种影响因素下,采用有限元分层级联算法推导出有限长结构SAW器件的有限元数学模型。基于全波仿真技术,考虑管座及键合线等封装模型电磁效应,对漏波型42°Y-X LiTaO_(3)温度补偿型声表面波(TC-SAW)器件进行计算,通过与实验结果对比,验证了计算模型的精确性,为高性能SAW器件的精确快速设计提供了支撑。
- 陈正林赵雪梅贺艺潘虹芝白涛杜雪松李桦林肖强陈彦光马晋毅
- 关键词：SAW器件
- 一种聚苯胺纳米纤维及其制备方法
- 本发明公开了一种聚苯胺纳米纤维及其制备方法。该聚苯胺纳米纤维由摩尔比介于99/1‑80/20之间的苯胺和2‑(六氟‑2‑羟基异丙基)‑苯胺制成。该制备方法包括：用去离子水和盐酸配制成摩尔浓度为0.5‑2mol/l的盐酸溶...
- 马晋毅张祖伟吴中玲何勇
- 文献传递
- 薄膜体声波谐振器的热学分析被引量：2
- 2016年
- 采用有限元分析软件Comsol Multiphics构建谐振器三维模型,研究器件结构、材料对其热性能的影响。固态装配型谐振器(SMR)有更好的热传导能力与热应力稳定性。在SMR器件中增加一层SiO2,其最高稳态温度上升7℃。器件最高稳态温度随其谐振区面积的减小而迅速增大。当器件换用高热导率材料时,器件最高稳态温度及其随热耗散功率增加而增大的幅度明显降低。
- 张睿焦向全马晋毅杜波钟慧石玉
- 关键词：薄膜体声波谐振器有限元大功率
- 基于降维PDE模型的声表面波谐振器的频响特性分析方法
- 本发明属于声表面波滤波器的数值计算技术领域，具体涉及一种基于降维PDE模型的声表面波谐振器的频响特性分析方法，包括：获取声表面波谐振器的结构数据；将数据输入到降维PDF模型中，得到表征声表面波谐振器的偏微分方程组；采用有...
- 陈正林马晋毅蒋世义陈彦光贺艺董加和赵雪梅肖强谭瑞
- 文献传递
- C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制被引量：3
- 2022年
- 该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。
- 刘娅刘娅马晋毅马晋毅谢征珍蒋平英
- 关键词：插入损耗
- 一种小型化的声表面波滤波器结构
- 本发明公开了一种小型化的声表面波滤波器结构，该结构包括压电衬底和电极层，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述压电衬底和所述电极层之间并使得所述压电衬底和所述电极层完全分离，且所述绝缘层覆盖所述压电衬底的部分表面。...
- 陈正林罗丹马晋毅杜雪松郑泽渔潘虹芝陈彦光贺艺陆川谢晓
