陈旭东
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：香港大学更多>>
- 发文基金：香港特区政府研究资助局资助项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 六方碳化硅中的深能级缺陷被引量：3
- 2004年
- 文章作者利用深能级瞬态谱 (DLTS) ,正电子湮灭谱 (PAS)和光致荧光谱 (PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷 .这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照 ,或氦离子注入等产生 .经过研究和分析各种实验测试的相关图谱 ,作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据 .
- 凌志聪陈旭东冯汉源C.D.Beling龚敏四川大学物理学院葛惟锟王建农G.BrauerW.AnwandW.Skorupa
- 关键词：能级湮灭氦离子正电子电子辐照PL
- ZnO/p-Si异质结构的电学输运特性被引量：1
- 2007年
- 采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO薄膜为n型(电子浓度为1019cm-3数量级),掺氮的ZnO薄膜为高阻(电阻率为105Ω·cm数量级).非故意掺杂的ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,当偏压大于0.4V,电流遵循欧姆定律.然而对于掺氮的ZnO/p-Si样品,当偏压小于1.0V时,电流表现为欧姆特性,当偏压大于2.5V时,电流密度与电压的平方成正比的关系.分别用Anderson模型和空间电荷限制电流模型对非故意掺杂和掺氮的ZnO/p-Si异质结二极管的电流输运特性进行了解释.
- 顾启琳陈旭东凌志聪梅永丰傅劲裕萧季驹朱剑豪
- 关键词：ANDERSON模型
