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葛惟锟

作品数：15 被引量：26H指数：3
供职机构：香港科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划香港特区政府研究资助局资助项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 8篇电子电信

主题

  • 6篇发光
  • 5篇砷化镓
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 3篇静压
  • 3篇ZNS
  • 2篇载流子
  • 2篇散射
  • 2篇砷化铟
  • 2篇深能级
  • 2篇能级
  • 2篇热载流子
  • 2篇自组织生长
  • 2篇混晶
  • 2篇光致发光研究
  • 2篇发光研究
  • 2篇半导体
  • 2篇TE
  • 2篇碲
  • 2篇INAS/G...

机构

  • 14篇中国科学院
  • 10篇香港科技大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇香港大学

作者

  • 15篇葛惟锟
  • 5篇韩和相
  • 5篇李国华
  • 4篇徐仲英
  • 4篇许继宗
  • 4篇王建农
  • 3篇方再利
  • 3篇郑宝真
  • 3篇丁琨
  • 2篇苏付海
  • 2篇苏萌强
  • 2篇马宝珊
  • 2篇吕振东
  • 2篇李玉璋
  • 2篇汪兆平
  • 1篇林兰英
  • 1篇高季林
  • 1篇曾一平
  • 1篇凌志聪
  • 1篇谢茂海

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇物理
  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇光散射学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇红外研究
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第三次中国电...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1990
  • 3篇1989
  • 1篇1983
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光被引量：2
2004年
研究了 4块ZnS∶Te薄膜样品 (Te组分从 0 .5 %到 3.1% )的光致发光谱在常压下的温度特性 .对于Te组分较小的 2块样品观察到 2个发光峰 ,分别来自Te1和Te2 等电子陷阱 ;而对Te组分较大的 2块样品则只观察到 1个来自Te2 等电子陷阱的发光 .我们还研究了这些发光峰在低温 15K下的流体静压压力行为 .观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多 ,而与Te2 有关的发光峰压力系数则比带边小 .根据Koster Slater模型 ,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因 ,而Te1和Te2
方再利苏付海马宝珊丁琨韩和相李国华苏萌强葛惟锟
关键词：光致发光硫化锌
SiOx薄膜中NC-Si发光机制的研究
本文对比生长在不同SiOx薄膜中之两种硅纳米晶(NC-Si)的近红外光荧光特性,并对其发光机制作出定性分析.SiOx薄膜是在电容耦合式超高真空PECVD系统中,以SiH4(浓度15﹪,Ar稀释)和N2O为反应气体,在RC...
丁璐葛惟锟王晓欣王启明
关键词：SIOX薄膜NC-SI发光机制
文献传递
多壁碳纳米管的拉曼散射被引量：11
1999年
本文报导了用直流碳弧放电方法制备的多层碳纳米管的拉曼光谱。和ＨＯＰＧ相比，由于碳纳米管的量子尺寸效应和碳纳米管直径的分布，在纯化和未纯化的碳纳米管中均存在Ｅ２ｇ模的软化，其红移范围分布在２～１３ｃｍ１范围内。
韩和相汪兆平李国华李国华常保和葛惟锟
关键词：碳纳米管拉曼散射HOPG
砷化镓中缺陷阴极荧光的时间分辨研究
＜正＞ 扫描电镜阴极荧光技术不但有空间分辨的优点,也易于实现时间分辨。本文介绍延迟符合技术和利用该技术对砷化镓材料中缺陷荧光衰退过程的测量和分析。延迟符合技术原理示意于图一。以第一个光子事件为始脉冲、再设定一个终脉冲,其...
葛惟锟
文献传递
多量子阱结构中热载流子弛豫过程中的非平衡声子效应被引量：1
1989年
在多量子阱结构中的热载流子弛豫过程中考虑非平衡声子的存在,在求解载流子能量损失率方程中同时计入声子的发射和吸收,并联立解出非平衡声子的波耳兹曼方程,从而证明,在稳态和准平衡态条件下,由载流子能量损失率方程解出的弛豫时间τ_(avg),实际上是电子-声子散射时间常数与非平衡声子寿命之和,而不是以往所认为的仅为电子-声子散射时间常数。
李玉璋徐仲英葛惟锟许继宗郑宝贞庄蔚华
关键词：量子阱结构热载流子
ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱
2003年
研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着
方再利苏付海马宝珊刘南竹朱作明丁琨韩和相李国华葛惟锟苏萌强
关键词：电子陷阱光致发光
消除边缘区效应的“三脉冲DLTS”法及对DX-中心俘获过程的测量
1990年
本文提出了一种新的方法──“三脉冲DLTS”法,用于测量深能级的热俘获截面,目的在于消除使测量产生很大误差的边缘区效应的影响,最后用这种方法,对AlGaAs:Si中DX—中心的电子热俘获截面进行了测量,结合考虑大的深能级浓度这一因素,通过计算机的拟合过程,给出了非常令人满意的结果。
谢茂海高季林葛惟锟周洁
关键词：深能级半导体
In_xCa_(1-x)As/GaAs应变量子阱结构中热载流子分布的皮秒光谱研究
1989年
用皮秒时间分辨荧光相关技术研究了In_xGa_(1-x)As/GaAS应变量子阱中的热载流手弛豫过程,结果表明,In组分x值(不同应变)对载流子弛豫寿命有明显的影响;与体材料相比,热载流子分布弛豫过程明显变慢,寿命明显增加.
徐仲英许继宗李玉璋葛惟锟陈宗圭郑宝真
关键词：光谱热载流子砷化镓铟
六方碳化硅中的深能级缺陷被引量：3
2004年
文章作者利用深能级瞬态谱 (DLTS) ,正电子湮灭谱 (PAS)和光致荧光谱 (PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷 .这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照 ,或氦离子注入等产生 .经过研究和分析各种实验测试的相关图谱 ,作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据 .
凌志聪陈旭东冯汉源C.D.Beling龚敏四川大学物理学院葛惟锟王建农G.BrauerW.AnwandW.Skorupa
关键词：能级湮灭氦离子正电子电子辐照PL
GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究被引量：1
2002年
在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中的 N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的 Ga As带边和 N等电子能级的压力行为计算了 Ga NAs发光峰随压力的变化 ,但计算结果与实验结果相差甚大 ,表明二能级模型并不完全适用。对观察到的 Ga NAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。
李国华方再利丁琨韩和相曾美思王建农葛惟锟潘钟李联合吴荣汉
关键词：光致发光
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共2页<12>
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