郭冬云
- 作品数：43 被引量：87H指数：4
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>
- 一种定向断键降解复合材料并从中回收纤维的方法
- 本发明提供一种定向断键降解复合材料并从中回收纤维的方法，该方法包括以下步骤：1)将复合材料切割成目标尺寸的复合材料方块，备用；2)将复合材料方块、溶剂、金属盐、配体、pH调节剂、氧化剂混合均匀后，进行加热处理，待复合材料...
- 黄志雄邓宗义郭冬云石敏先刘晓帆王大岗
- 文献传递
- Ag/Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si结构铁电薄膜制备及其铁电性能的研究
- 2004年
- 利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,在硅基底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si铁电薄膜,其中Bi4Ti3O12作为缓冲层.用XRD方法分析了该结构铁电薄膜的物相结构;用扫描电镜对薄膜样品进行表面形貌观察;并且对该结构的铁电性能进行了研究.
- 郭冬云王耘波于军付承菊高俊雄李建军陈万军
- 关键词：铁电薄膜
- 铁电存储器用Bi<sub>3.25</sub>La<sub>0.75</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>薄膜的制备及性能研究
- 铁电存储器是一种在断电时不会丢失存储信息的非易失存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点,显示出良好的应用前景和极大的发展潜力。而具有性能优良的铁电薄膜是制作铁电存储器的基础。本文以应用于非易失性存储器的铁电薄膜的...
- 郭冬云
- 铁电存储器研究进展被引量：21
- 2002年
- 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等。
- 周志刚王耘波王华于军谢基凡郭冬云
- 关键词：铁电存储器铁电薄膜FRAMFFET
- SrBi_2Ta_2O_9薄膜的制备和铁电性能研究被引量：3
- 2001年
- 用一种新的低温过程制备了SrBi2Ta2O9铁电薄膜。在Sol-Gel方法中用Pt/Ti/SiO2/Si作衬底,研究了薄膜的结构和电特性。SrBi2Ta2O9薄膜在淀积Pt上电极之前和之后都要退火,第一次退火在760乇氧压下600℃时退火30分钟,在第二次退火后薄膜结晶良好。
- 周志刚朱丽丽郭冬云王耘波徐静平
- 关键词：铁电薄膜SBTSOL-GEL法铁电性能
- 镧系元素(Eu,Ho和Er)掺杂对BiFeO_3粉末晶格结构的影响被引量：1
- 2010年
- 采用Sol-gel法制备出Bi1-xLnxFeO3(BLnF;x=0、0.05、0.10、0.15、0.20;Ln=Eu,Ho和Er)系列粉末,利用XRD分析了其晶格结构。结合容忍因子的变化分析了3种元素掺杂对BiFeO3晶格结构的影响规律,以及掺杂离子半径变化对BiFeO3晶格结构的影响趋势。结果表明,在450～550℃烧结可以得到纯相的BiFeO3粉末,烧结温度过高,容易形成Bi2Fe4O9杂相;掺杂量增加,晶格参数减小;掺杂离子半径减小,晶格参数减小;Eu、Ho和Er元素掺杂量低于0.10时,可以得到纯相的BLnF,掺杂量超过0.10后,晶格结构的稳定性变差,容易形成杂相。
- 郭冬云刘长永王传彬沈强张联盟
- 关键词：SOL-GEL法晶格结构掺杂
- 铁电存储器的研究进展被引量：7
- 2006年
- 介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。
- 付承菊郭冬云
- 关键词：铁电存储器铁电随机存取存储器铁电场效应晶体管
- Bi4Ti3O12薄膜的慢正电子束研究
- 采用Sol-Gel工艺在p-Si衬底上制备BiTiO薄膜,利用慢正电子束测量了不同退火温度处理的BiTiO薄膜的S参数与入射正电子能量E的关系,研究退火温度对BiTiO薄膜中缺陷的影响。
- 王耘波郭冬云于军高俊雄周春兰马创新王宝义魏龙
- 关键词：慢正电子束BI4TI3O12
- 文献传递
- Sol-Gel法制备Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及其性能研究被引量：3
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密。对700℃退火的BTO薄膜进行了铁电性能和疲劳特性测试,在测试电压为6 V时,剩余极化值2Pr约为12.5μC/cm2,矫顽电场2Ec约为116.7 kV/cm;经1×109次极化反转后,剩余极化值下降了24%,对其疲劳机理进行了探讨。
- 郭冬云李美亚裴玲于本方吴庚柱王耘波杨斌于军
- 关键词：铁电性能
- Sol-gel法制备多铁性Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3薄膜及其性能被引量：2
- 2010年
- 采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜。研究了退火温度对其晶相形成的影响,发现在较低温度退火(450℃)时,Bi0.85Eu0.15FeO3晶相开始形成,但存在杂相,而且结晶度较差;在490～600℃可以获得结晶较好的单相Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜。同时对经550℃退火的薄膜的介电、铁电和铁磁性能进行了研究,结果表明,Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜具有较好的介电及铁磁性能。当测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数和介电损耗分别为80、0.024,饱和磁化强度约为26.2emu/cm3。
- 付承菊黄志雄李杰郭冬云
- 关键词：铁电性能铁磁性能
