赵雷
- 作品数：21 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 量子阱、超晶格结构的线性电光效应研究进展
- 2004年
- 本文综合比较了各种用以解释量子阱、超晶格结构线性电光效应(LEO)的理论和模型,如:EFT理论,GBC理论,HBF模型等;并按三种量子阱结构:阱区和势垒层具有一种相同原子的I型量子阱(CA QWs)、阱区和势垒层不具有相同原子的I型量子阱(NCA QWs)以及II型量子阱,给出了具体的量子阱超晶格结构线性电光效应的研究现状;最后总结了目前硅基量子阱、超晶格LEO的一些研究结果,并分析指出了对其作进一步研究的发展方向。
- 赵雷左玉华王启明
- 关键词：超晶格结构线性电光效应
- SiGe共振腔增强型探测器的制备(英文)被引量：2
- 2004年
- 利用 SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性 ,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型 Si Ge探测器 .底镜沉积于 EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内 ,在 1.2～ 1.5 μm范围内 ,反射率高达 99% .探测器的共振峰在 1.344 μm,光响应为 1.2 m A/ W.与普通结构的探测器相比 ,文中所报道的探测器光响应有 8倍的增强 .
- 李传波毛荣伟左玉华成步文时文华赵雷罗丽萍余金中王启明
- 关键词：RCE探测器SOISIGE
- Si纳米线阵列波导光栅制备被引量：4
- 2010年
- 采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm。利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的稳态分布,模拟结果表明,器件的通道间隔为11 nm,通道间的串扰为18 dB。通过电子束曝光(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀制备了所设计的器件,光输出谱测试分析表明,器件中心通道的片上损耗为9 dB,通道间隔为8.36～10.40 nm,中心输出通道的串扰为6 dB。在误差允许范围内,设计和测试的结果一致。
- 张家顺安俊明赵雷宋世娇吴远大胡雄伟
- 偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性被引量：2
- 2006年
- 介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。
- 赵雷陈涌海左玉华王海宁时文华
- 关键词：半导体
- Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性
- 2006年
- 通过X射线双晶衍射、光致发光谱等手段,系统研究了Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性.研究表明:退火过程中纳米岛区的Ge/Si原子互扩散作用比浸润层区强烈;并且随着退火时间增加,这种互扩散作用加大,晶体质量下降,影响材料性能.而在800℃退火12s,材料保持了较小的Ge/Si原子互扩散水平和较高的晶体质量,并且经硼离子注入后的样品在这一条件退火后,超过50%的杂质原子可被激活.
- 时文华罗丽萍赵雷左玉华王启明
- 关键词：SI退火离子注入
- 热光调谐滤波器的高温性能分析
- 2005年
- 研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,同时透射峰强度及DBR(distributed Braggreflector)反射率下降.透射峰蓝移是非晶硅和SiO2致密后折射率增大而厚度减小,最终导致DBR中心波长偏短所致;DBR反射率下降和透射峰强度的下降是高温下表面和界面变得起伏较大所致.
- 左玉华毛容伟李传波赵雷蔡晓成步文王启明
- 关键词：热光效应FABRY-PEROT可调谐滤波器
- Si<,0.75>Ge<,0.25>/Si/Si<,0.5>Ge<,0.5>超晶格平面内光学各向异性及电光效应
- 光纤通讯、计算机技术的飞速发展使得光电子集成(0.IC)和光子集成(PIC)已经成为了国际上的研究热点。而Si是OEIC和PIC的优选材料。采用硅材料最大的好处是可与成熟的Si CMOS工艺兼容，从而大大降低成本，并且S...
- 赵雷
- 关键词：电光效应光电子集成
- 8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作被引量：2
- 2010年
- 设计了基于绝缘层上硅(SOI)材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅(AWG),器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm。利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB。给出了结合电子束光刻(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀技术制备器件的详细流程。光谱测试结果分析表明,器件通道间隔为1.3～1.6nm,通道串扰为3dB,中心通道损耗为11.6dB。
- 赵雷安俊明张家顺宋世娇吴远大胡雄伟
- 500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si_(0.5)Ge_(0.5)层(英文)
- 2006年
- 利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态。并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱。拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用。
- 赵雷左玉华李传波成步文罗丽萍余金中王启明
- 关键词：UHV/CVD光荧光
- 具有平顶响应的窄带热光可调谐法布里－珀罗滤波器
- 一种具有平顶响应的窄带热光可调谐法布里－珀罗滤波器，包括：一基片；一第一布拉格反射镜，该第一布拉格反射镜制作在基片上，该第一布拉格反射镜是滤波器的下反射镜；一腔体，该腔体制作在第一布拉格反射镜上，该腔体是滤波器的腔体，决...
- 左玉华蔡晓赵雷时文华成步文余金中王启明
- 文献传递
