您的位置: 专家智库 > >

董欣

作品数:13 被引量:11H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇异质结
  • 4篇晶体管
  • 3篇探测器
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 3篇半导体
  • 2篇电流增益
  • 2篇电阻
  • 2篇信号灯
  • 2篇形变
  • 2篇异质结晶体管
  • 2篇异质结双极型...
  • 2篇元件
  • 2篇载流子
  • 2篇增益
  • 2篇设计方法

机构

  • 13篇北京工业大学

作者

  • 13篇董欣
  • 12篇邹德恕
  • 12篇沈光地
  • 11篇高国
  • 10篇陈建新
  • 9篇杜金玉
  • 7篇韩金茹
  • 6篇孙泽长
  • 5篇徐晨
  • 4篇刘莹
  • 4篇周静
  • 4篇袁颖
  • 4篇郭伟玲
  • 3篇邓军
  • 2篇郭霞
  • 2篇崔碧峰
  • 2篇邢艳辉
  • 2篇马骁宇
  • 2篇魏欢
  • 2篇李建军

传媒

  • 2篇北京工业大学...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2005
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1996
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
新型硅基红外探测器的研制
该文详细论述了红外探测器和MEMS技术的现状与发展趋势,尤其对该文用以实现红外探测器的技术-MEMS 技术的广阔的前景进行了仔细的讨论,详细介绍了MEMS的主要加工技术尤其是基MEMS的主要加工技术.在讨论两种红外探测器...
董欣
关键词:红外探测器微电机械系统键合技术
文献传递
高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法
一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法,属于半导体光电子技术领域,其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成,每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P<Sup>+...
沈光地高国陈昌华郭伟玲陈良惠马骁宇杜金玉周静邹德恕陈建新王学忠董欣
文献传递
异质结双极型晶体管
一种量子阱基区异质结双极型晶体管,属于高速微电子技术领域,其特征是,沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层,使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运,从而大大提高多数载流子的横向迁移率,并同时形成对少数载流子的纵向...
沈光地邹德恕陈建新杜金玉吴德馨高国徐晨韩金茹董欣罗辑魏欢周静孙泽长袁颖赵立新
文献传递
高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法
一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法,属于半导体光电子技术领域,其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成,每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P<Sup>+...
沈光地高国陈昌华郭伟玲陈良惠马骁宇杜金玉周静邹德恕陈建新王学忠董欣
文献传递
高性能LED外延与芯片的关键技术研究和大规模产业化
沈光地陈依新崔碧峰郭伟玲徐晨郭霞李建军韩军邓军朱彦旭邢艳辉邹德恕韩金茹蒋文静高伟董欣孙泽长关宝璐刘莹高新焕
具有自主知识产权的新型电流输运增透窗口层结构的高性能正装红光LED,其性能为:主波长620-624nm,光强达到150-200mcd,光功率为2.6-3.3mW,封装后的光强为7-9cd,光功率为5.0-7.0mW,技术...
关键词:
关键词:发光二极管
红外探测器
一种红外探测器包括有硅基衬底、充有特殊气体的密闭腔、覆盖于密闭腔上的透红外窗口薄膜及形变薄膜、及测量元件等。它利用特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性,当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时,覆盖...
沈光地邹德恕董欣高国陈建新杜金玉孙泽长韩金茹刘莹
文献传递
异质结双极型晶体管
一种量子阱基区异质结双极型晶体管,属于高速微电子技术领域,其特征是,沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层,使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运,从而大大提高多数载流子的横向迁移率,并同时形成对少数载流子的纵向...
沈光地邹德恕陈建新杜金玉吴德馨高国徐晨韩金茹董欣罗辑魏欢周静孙泽长袁颖赵立新
文献传递
多发射极Si/SiGe异质结晶体管被引量:1
2003年
在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_x/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、V_(CB)=7V、I_(CM)≥180mA、f_T≤ 2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si_(1-x)Ge_x材料的优越性。
邹德恕袁颖史辰徐晨杜金玉陈建新董欣王东风高国沈光地
关键词:功率晶体管
SiGe/Si HBT的直流特性分析被引量:1
1996年
应用"掺杂工程"和"带隙工程"各自的特点,设计了一种独特的基区双向高速输运的SiGe/Si HBT层结构,并利用此结构在3μm工艺线上做出了性能良好的SiGe/Si HBT。其主要直流参数为:室温共发射极最大电流增益βmax(300K)可达300,低温βmax(77K)可达8000,厄利电压300V,漏电流在nA量级,均为国际先进水平。同时,给出了SiGe/SiHBT的室温(大注入,小注入),低温(大注入,小注入)的输出特性曲线,进行了对比分析,详细讨论了影响室温β,低温β及其它直流参数的主要因素。
张时明邹德恕陈建新高国杜金玉韩金茹董欣袁颍王东凤沈光地倪卫新汉森
关键词:硅锗合金直流特性
高效多有源区耦合大光腔半导体激光器
沈光地李建军崔碧峰郭霞刘莹郭伟玲高国邓军韩军廉鹏董欣孙泽长邹德恕董立闽邢艳辉陈建新徐晨王东凤韩金茹
该项目在高效大功率大光腔半导体激光器方面做了深入的研究。分析了目前国内外大功率半导体激光器存在的主要问题,提出了一种新的物理机制,采用隧道级联方式,在小的电流下得到了大的功率和超高亮度光的输出。通过耦合大光腔,增大半导体...
关键词:
关键词:半导体激光器大功率
共2页<12>
聚类工具0