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高国

作品数：86 被引量：264H指数：7
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇期刊文章
  • 28篇专利
  • 6篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 49篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 26篇半导体
  • 22篇激光
  • 20篇激光器
  • 18篇发光
  • 17篇二极管
  • 16篇半导体激光
  • 15篇发光二极管
  • 14篇半导体激光器
  • 11篇晶体管
  • 11篇功率
  • 10篇腔面
  • 9篇异质结
  • 8篇多有源区
  • 7篇HBT
  • 6篇隧道再生
  • 6篇探测器
  • 6篇红外
  • 6篇红外探测
  • 6篇红外探测器
  • 5篇增益

机构

  • 86篇北京工业大学
  • 8篇中国科学院
  • 1篇华北光电技术...
  • 1篇云南大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 86篇高国
  • 73篇沈光地
  • 55篇邹德恕
  • 41篇陈建新
  • 30篇杜金玉
  • 26篇徐晨
  • 17篇廉鹏
  • 17篇郭霞
  • 11篇董欣
  • 10篇韩金茹
  • 10篇郭伟玲
  • 10篇邓军
  • 8篇刘莹
  • 8篇陈良惠
  • 6篇舒雄文
  • 6篇袁颖
  • 6篇魏欢
  • 6篇李建军
  • 6篇杨道虹
  • 6篇陈昌华

传媒

  • 12篇半导体技术
  • 7篇Journa...
  • 6篇北京工业大学...
  • 3篇光电子．激光
  • 3篇物理学报
  • 2篇传感器世界
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇现代显示
  • 2篇半导体光电
  • 1篇传感器技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇激光技术
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇功能材料
  • 1篇测控技术
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇照明工程学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 10篇2007
  • 6篇2006
  • 11篇2005
  • 2篇2004
  • 10篇2003
  • 4篇2002
  • 7篇2001
  • 4篇2000
  • 9篇1999
  • 3篇1998
  • 5篇1997
  • 5篇1996
  • 2篇1991
共 86 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氨敏半导体器件及其制造方法
一种主要用于氨气报警、探漏、监测及定量测量等场合的新型氨敏半导体器件，是由集成在一个硅片上的氨气测量管，加热电阻和温控二极管组成。该器件共四根电极引线，漏极和栅极共用一根；源极，加热电阻R<Sub>2</Sub>极和温控...
邹德恕王东凤高国陈建新
文献传递
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器被引量：1
2000年
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法 ,以液态 CCl4为掺杂源生长了高质量 C掺杂 Ga As/Al Ga As材料 ,并对生长机理、材料特性以及 C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以 C为 P型掺杂剂的 Ga As/ Al Ga As/ In Ga As应变量子阱半导体激光器结构 ,置备了高性能 980 nm大功率半导体激光器。
廉鹏邹德恕高国殷涛陈昌华徐遵图沈光地马晓宇陈良惠
关键词：MOCVD半导体激光器气相外延
功率LED热特性分析被引量：7
2009年
随着LED功率的升高,热应力对LED的影响越来越显著,过高的结温不但会使器件寿命急剧衰减,还会严重影响LED的峰值波长,光功率,光通量等诸多性能参数。因此精确掌握LED器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1W功率LED及不同功率的GaN基白光LED的结温和热阻进行了测量,实验结果表明:同种结构LED的温度系数K虽然离散但比较接近,不同结构LED芯片K明显不同;在相同衬底材料,相同芯片结构条件下,LED芯片结温会随芯片功率的增大而升高。并首次进行了变电流下不同功率LED芯片的结温和热阻测量,发现无论功率大小,结温均随热电流的增大而上升,功率越大,上升幅度也越大。随着LED两端所加电流的增大,3W白光LED的热阻呈上升趋势,而1W白光LED的热阻随电流增加基本不变。
毛德丰郭伟玲高国沈光地
关键词：光电子热阻功率发光二极管
一种半导体激光器腔面钝化的方法
本发明属于半导体激光器领域。包括以下步骤：半导体激光器在空气中解理成条后装入夹具后放入电子束蒸发真空室；离子预清洗，即在电子束蒸发的真空室中用能量小于100eV的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及...
徐晨沈光地舒雄文田增霞陈建新高国
文献传递
在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT被引量：4
1997年
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．
邹德恕陈建新沈光地高国杜金玉张时明袁颖王东凤邓军W.X.NiG.V.Hansson
关键词：硅双极晶体管增益
射频溅射SiO_2在制造Si/SiGeHBT中的应用被引量：5
1999年
介结了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺，对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。
邹德恕徐晨罗辑陈建新高国魏泽民沈光地
关键词：射频溅射二氧化硅
异质结双极型晶体管
一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向...
沈光地邹德恕陈建新杜金玉吴德馨高国徐晨韩金茹董欣罗辑魏欢周静孙泽长袁颖赵立新
文献传递
新型高效隧道再生多有源区超高亮AlGaInP发光二极管被引量：2
2002年
分析了传统的发光二极管所存在的问题,提出了一种新的发光机制——高效隧道再生多有源区发光机制,详细介绍了新型发光管的工作原理,结构和制备工艺.通过理论和测试分析,验证了新机理器件的轴向光强随有源区的数目增加而线性增加的物理思想,实现了在小电流下的高亮度发光.器件在未生长厚电流扩展层的情况下,峰值波长在625nm左右,20mA注入电流下,15°普通封装,轴向光强最大超过5 cd.
郭霞沈光地王国宏王学忠杜金玉高国
关键词：ALGAINP发光二极管隧道再生多有源区发光机制量子效率物理思想
功率LED结温和热阻在不同电流下性质研究被引量：6
2010年
通过对不同驱动电流下各种颜色LED结温和热阻测量,发现各种颜色LED的热阻值均随驱动电流的增加而变大,其中基于InGaN材料的蓝光和白光LED工作在小于额定电流下时,热阻上升迅速;驱动电流大于额定电流时,热阻上升速率变缓。其他颜色LED热阻随驱动电流变化速率基本不变。结温也随驱动电流的增加而变大。相同驱动电流下,基于AlGaInP材料的1W红色、橙色LED的结温要低于基于InGaN材料的蓝色、绿色、白色LED的结温。分别用正向电压法和红外热像仪法测量了实验室自制的1 mm×1 mm蓝光芯片结温,比较了两种方法的优缺点。结果表明,电学法测量简单快捷,测量结果可以满足要求。
毛德丰郭伟玲高国沈光地
关键词：结温热阻驱动电流功率发光二极管
SiGe／Si　HBT的直流特性分析被引量：1
1996年
应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ。其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益βｍａｘ（３００Ｋ）可达３００，低温βｍａｘ（７７Ｋ）可达８０００，厄利电压３００Ｖ，漏电流在ｎＡ量级，均为国际先进水平。同时，给出了ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的室温（大注入，小注入），低温（大注入，小注入）的输出特性曲线，进行了对比分析，详细讨论了影响室温β，低温β及其它直流参数的主要因素。
张时明邹德恕陈建新高国杜金玉韩金茹董欣袁颍王东凤沈光地倪卫新汉森
关键词：硅锗合金直流特性
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