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耿春玲

作品数：3 被引量：8H指数：1
供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇电器件
  • 1篇氧分压
  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇微观结构
  • 1篇微结构
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射沉积
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇硅基
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇半导体薄膜材...
  • 1篇ZN0
  • 1篇A-SI

机构

  • 3篇河北大学

作者

  • 3篇傅广生
  • 3篇耿春玲
  • 3篇于威
  • 2篇武树杰
  • 2篇滕晓云
  • 1篇丁文革
  • 1篇孟令海
  • 1篇杨丽华
  • 1篇张丽
  • 1篇陈明敬
  • 1篇许贺菊
  • 1篇张子才
  • 1篇王春生
  • 1篇刘洪飞
  • 1篇张锦川

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 3篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
a-SiN:H薄膜的对靶溅射沉积及微结构特性研究被引量：8
2010年
采用对靶磁控反应溅射技术以N2和H2为反应气体在硅(100)和石英衬底上制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜.利用台阶仪、原子力显微镜、紫外-可见(UV-VIS)光吸收和傅里叶红外透射光谱(FTIR)对薄膜沉积速率、微观结构及键合特性进行了分析.结果表明,利用等离子反应溅射可在较低衬底温度条件下(Ts<250℃)实现低表面粗糙度和高光学透过率的a-SiN:H薄膜制备.增加衬底温度可使薄膜厚度减小,薄膜光学带隙Eg提高,薄膜无序度减小.FTIR分析结果表明,薄膜主要以Si-N,Si-H和N-H键合结构存在,随衬底温度增加,薄膜中的键合氢含量减小,而整体键密度和Si-N键密度增加.该微观结构和光学特性的调整可归因衬底温度升高所引起的衬底表面原子迁移率和反应速率的增加.
于威孟令海耿春玲丁文革武树杰刘洪飞傅广生
关键词：微观结构
氧分压对Zn0.99Mn0.01O稀磁薄膜结构和磁学特性的影响
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Al2O3(0001)衬底上制备了Mn掺杂ZnO稀磁薄膜，利用原子力显微镜、X射线衍射、光致发光、磁滞回线系统地表征了不同氧压对样品的表面形貌、微观结构、光学性质和室温铁磁特性的影响。结果...
于威陈明敬耿春玲张子才滕晓云傅广生
关键词：室温铁磁性脉冲激光沉积
文献传递
硅基p型氧化锌薄膜制备及光电子衰减特性研究
傅广生滕晓云耿春玲于威王春生张丽许贺菊张锦川杨丽华武树杰
稳定、高质量的p-ZnO薄膜的制备是ZnO材料在短波长光电器件领域获得成功应用的一个关键问题。该项目采用螺旋波等离子体辅助磁控溅射技术制备了沿c轴高度择优取向的ZnO外延薄膜；实现了p型ZnO薄膜的可控生长，获得了N、A...
关键词：
关键词：半导体薄膜材料光电器件
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