田晶泽
- 作品数：10 被引量：22H指数：3
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺化学工程一般工业技术更多>>
- PBII氮离子注入对氮化硼薄膜结构的影响
- 1999年
- 研究了氮离子注入对立方氮化硼（ｃ－ ＢＮ） 膜，富硼的硼氮膜（ＢＮ０ ．５ ） 和硼膜（Ｂ） 的成分及结构的影响． 用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃＢＮ、ＢＮ０ ．５ 和Ｂ 膜；然后使用等离子基离子注入（ＰＢＩＩ） 技术，在５０ ｋＶ 的基体脉冲负偏压下注入氮． 用ＦＴＩＲ 透射谱分析膜在氮离子注入前后结构的变化，用ＸＰＳ分析膜的成分分布． 结果表明：在ｃ－ ＢＮ 膜中注入氮离子几乎不改变膜的ＮＢ，但膜中ｃ－ ＢＮ 的含量略有增加；对于ＢＮ０ ．５ 膜，注入氮后，ＮＢ 略有提高，膜的ａ－ ＢＮ 的结晶化提高；而在硼膜中注入氮后，氮在膜中呈类似高斯分布，最高氮浓度ｒ（Ｎ）达２３ ％ ，膜中形成了非晶态的氮化硼（ａ－ ＢＮ） 结构． 此外，在以上各种膜上注入氮后，膜基界面都有不同程度的成分混合．
- 田晶泽夏立芳刘立民李刘和马欣新孙跃
- 关键词：单晶硅离子注入氮化硼
- 用PBII方法在硼膜中注入氮形成BN的结构
- 2000年
- 用电子束蒸发纯硼 ,在硅片上沉积不同厚度的硼膜 ,然后用等离子体基离子注入 (PBⅡ )技术在硼膜上注入氮以形成氮化硼 (BN) .用XPS分析膜的成分深度分布及化学价态 ;用傅里叶变换红外 (FTIR)透射谱分析膜的结构 .氮在膜中呈类似高斯分布 ,随着注入电压增大 ,膜的N/B比增大且影响氮在膜中的分布 ,在较高的注入电压时 ,膜基间产生界面混合 .对XPSB1s谱进行Gauss Lorentz拟合表明 :硼在膜中以BN及游离态两种形式存在 .FTIR分析结果表明 :当注入电压较低 ,时间较短时 ,膜中存在非晶态形式的氮化硼 (a -BN) ;增大注入电压及注入时间 ,向六方形式的氮化硼 (h -BN)转化 ;原始硼膜的厚度小有助于h -BN的形成 .
- 田晶泽夏立芳马欣新孙跃孙明仁
- 关键词：FTIR氮化硼薄膜硅片
- 脉冲直流偏压增强的高质量立方氮化硼薄膜的合成被引量：10
- 2001年
- 采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜 .通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压 ,增强了立方氮化硼的成膜稳定性 ,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比 (Ar N2 )和基片温度沉积参数对立方氮化硼薄膜形成的影响规律 .结果表明 :随着基片负偏压和放电电流的增大 ,薄膜中立方氮化硼的纯度提高 ,当基片负偏压为 15 5V ,放电电流为 15A时 ,可获得几乎单相的立方氮化硼薄膜 .基片温度为 5 0 0℃和Ar N2 流量比为 10时 ,最有利于立方氮化硼的形成 .偏离这个值 ,都会促进薄膜中非立方相的形成 .
- 田晶泽吕反修夏立芳
- 关键词：立方氮化硼立方相
- 强直电流伸展弧CVD硬质合金金刚石涂层工具被引量：2
- 2003年
- 采用自行研制的强电流直流扩展电弧设备对酸浸和渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石薄膜涂层沉积,并对放于不同位置的沉积刀片表面涂层的激光Raman谱和SEM形貌进行了分析、研究.结果表明:渗硼预处理工艺优于酸浸预处理工艺;在渗硼处理的GY6刀片上,沉积的金刚石薄膜涂层具有大面积、均匀性好和质量高的特点.
- 宋建华苗晋琦张恒大唐伟忠吕反修田晶泽
- 关键词：硬质合金工具CVD表面形貌
- ARE法制取立方氮化硼膜时提高膜基结合力方法的研究被引量：3
- 1999年
- 采用活性反应离子镀装置，通过电子束蒸镀金属纯硼，在氮、氩混合气体等离子体中，合成了ｃ－ＢＮ膜。对沉积后的ｃ－ＢＮ膜，在充入高纯氮的条件下，原位进行消应力退火处理以提高膜与基体的结合力。用富立叶变换红外透射谱分析ｃ－ＢＮ膜的结构，用弯曲法测量膜的残余压应力，通过划痕试验测量膜与基体的结合力。沉积态的 ｃ－ＢＮ膜的残余压应力高达６．６ ＧＰａ，当退火温度不超过６００℃时，膜的残余压应力消减效果不大；但当经８００℃退火 １ｈ后，ｃ－ＢＮ膜的残余压应力大幅度下降，降到约 ２ ＧＰａ，膜与基体的结合力有很大提高，划痕试验时临界载荷高达 １４ Ｎ；而富立叶变换红外分析结果表明，高温退火不改变ｃ－ＢＮ膜的相结构。
- 田晶泽夏立芳Eung-SunByonSung-HunLeeSang-RoLee
- 关键词：立方氮化硼应力结合力
- 脉冲偏压下沉积的立方氮化硼膜的断面结构研究被引量：3
- 2002年
- 采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统 ,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼 (c BN)薄膜。用傅立叶变换红外谱 (FTIR)分析沉积膜的相结构 ,用透射电镜 (TEM)及高分辨率透射电镜 (HRTEM)分析膜的断面结构。FTIR结果表明 :c BN的纯度强烈地受基片负偏压的影响 ,当基片负偏压为 15 5V ,c BN膜的纯度高达 90 %以上。TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明 ,在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六方氮化硼 (h BN)层 ,h BN(0 0 0 2 )晶面垂直于基片表面 ,在界面层之上生长着单相c
- 田晶泽张恒大宋建华吕反修唐伟忠夏立芳
- 关键词：脉冲偏压相结构表面形貌
- 射频负偏压与放电电流对cBN薄膜形成的影响被引量：3
- 1999年
- 用ＡＲＥ（Ａｃｔｉｖｅ Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ） 装置， 在Ｎ２／Ａｒ 混合等离子体弧光放电气氛下， 通过电子束蒸镀纯硼， 同时伴以一定能量的正离子轰击生长的膜表面的方法， 在单晶硅（１００） 基片上成功地合成了立方氮化硼（Ｃｕｂｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ， 简称ｃＢＮ） 薄膜， 并对基片射频自偏压和等离子体弧光放电电流对ｃＢＮ 膜形成的影响进行了研究。用富立叶变换红外（ＦＴＩＲ） 透射谱和ＡＥＳ对沉积的膜进行相结构和化学成分分析。ＦＴＩＲ 透射谱表明， 在波数约１ ０６０ｃｍ － １ 处， 存在很强的ｃＢＮ 的吸收峰。随基片所加射频负偏压及等离子体弧光放电电流的增大， 膜中的ｃＢＮ 含量增大； 当射频偏压为－ ２００ Ｖ， 放电电流为１５ Ａ 时， 沉积的膜为单相ｃＢＮ 膜。ＡＥＳ 的成分深度分布表明，ｃＢＮ 膜中的Ｂ， Ｎ
- 田晶泽夏立芳
- 关键词：立方氮化硼
- ME-ARE法脉冲直流偏压下立方氮化硼膜的合成
- 采用自选开发研制磁增强活性反应离子镀(ME-ARE)系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比(...
- 田晶泽吕反修唐伟忠夏立芳
- 关键词：立方氮化硼脉冲偏压气相沉积
- 文献传递
- ME-ARE法立方氮化硼膜的合成及N-PBⅡ法对膜基结合力的改善
- 该文用自行开发的磁增强活性反应离子镀(ME-ARE)系统,在基体射频偏压和脉冲直流偏压两种条件下,在单晶硅基体上成功地合成了高纯度的立方氮化硼(c-BN)薄膜,研究了立方氮化硼膜的合成工艺、显微结构、界面结构及生长过程、...
- 田晶泽
- 关键词：立方氮化硼等离子体基离子注入
- 文献传递
- ARE法沉积的立方氮化硼薄膜生长过程的研究被引量：1
- 1999年
- 采用逆序法研究了通过活性反应离子镀技术沉积在单晶硅 (10 0 )上的c BN膜生长过程。在X射线光电子能谱分析仪上 ,用氩离子剥离c BN膜并进行膜的成分的深度分布及不同刻蚀深度处膜的价态分析 ,用富立叶变换红外透射谱分析不同刻蚀深度处的膜的相结构。结果表明 :在此生长条件下 ,c BN不能在基底上直接成核 ,而是先在基底上形成一层h BN ,然后c BN在其上生长。对这种生长顺序 ,引用c
- 田晶泽夏立芳Eung-SunByonSang-RoLee
