王智贤
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Cd_(0.80)Zn_(0.20)Te晶体的生长及性能研究
- 2007年
- 用本实验室合成的Ca0．80Zn0．20Te多晶料为原料，采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Ca0．80Zn0．20Te晶锭。使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析，生长晶体的X射线衍射峰尖锐，摇摆谱对称，表明晶锭的结晶性能较好；用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱，测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小，均匀性较好，电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体；晶体的蚀坑密度在10^3-10^4cm^-2之间，比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级。
- 方军赵北君朱世富何知宇高德友张冬敏程曦王智贤
- 关键词：碲锌镉晶体生长XRD红外光谱
- 碲锌镉单晶生长过程中的Zn分凝现象研究
- 采用改进的Bridgman法生长出尺寸为Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体,沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试,在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,...
- 李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军
- 关键词：碲锌镉单晶生长BRIDGMAN法晶格常数
- 文献传递
- 三温区坩埚下降法生长Cd_(1-x)Zn_xTe单晶体被引量：1
- 2009年
- CdZnTe晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中，生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响。根据CdZnTe晶体的生长习性，设计了三温区单晶炉，用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体。通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究，得到了红外透过率约为61％，腐蚀蚀坑密度（EPD）为10^4cm^-2，电阻率为10^9～10^10Ω·cm的Cd0.9Zn0．1Te单晶体。表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。
- 邱春丽赵北君朱世富王智贤李新磊何知宇陈宝军唐世红
- 关键词：CDZNTE单晶生长坩埚下降法
- CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究被引量：1
- 2008年
- 采用改进的Bridgman法生长出Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的分凝所引起。对XRD粉末衍射测试的结果进行结构分析,计算出上述不同位置的晶胞常数变化规律呈现递增趋势,表明Zn含量呈现递减趋势,与EDX实验结果一致。
- 李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军
- 关键词：碲锌镉晶格常数
- 垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究
- 2008年
- 使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势.结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律.
- 王智贤赵北君朱世富邱春丽李新磊何知宇陈宝军
- 关键词：CDZNTE晶体位错分布
- 垂直布里奇曼法生长Cd1-xZnxTe晶体的位错分布研究
- 使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe（CZT）单晶体位错分布规律。实验中选择（110）面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-Ⅱ腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错...
- 王智贤赵北君朱世富邱春丽李新磊何知宇陈宝军
- 关键词：CDZNTE晶体位错分布
- 文献传递
- CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究
- 采用改进的Bridgman法生长出φ20 mm×40 mm、外表无裂纹的Cd_(0.8)Zn_(0.2)Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2 cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值...
- 李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军
- 关键词：碲锌镉晶格常数
- 文献传递
