邱春丽
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- 垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究
- 2008年
- 使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势.结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律.
- 王智贤赵北君朱世富邱春丽李新磊何知宇陈宝军
- 关键词：CDZNTE晶体位错分布
- CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究
- 采用改进的Bridgman法生长出φ20 mm×40 mm、外表无裂纹的Cd_(0.8)Zn_(0.2)Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2 cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值...
- 李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军
- 关键词：碲锌镉晶格常数
- 文献传递
- 碲锌镉单晶生长过程中的Zn分凝现象研究
- 采用改进的Bridgman法生长出尺寸为Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体,沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试,在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,...
- 李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军
- 关键词：碲锌镉单晶生长BRIDGMAN法晶格常数
- 文献传递
- 三温区坩埚下降法生长Cd_(1-x)Zn_xTe单晶体被引量：1
- 2009年
- CdZnTe晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中，生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响。根据CdZnTe晶体的生长习性，设计了三温区单晶炉，用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体。通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究，得到了红外透过率约为61％，腐蚀蚀坑密度（EPD）为10^4cm^-2，电阻率为10^9～10^10Ω·cm的Cd0.9Zn0．1Te单晶体。表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。
- 邱春丽赵北君朱世富王智贤李新磊何知宇陈宝军唐世红
- 关键词：CDZNTE单晶生长坩埚下降法
- 表面处理对CdZnTe晶片漏电流的影响
- 2010年
- 采用EDS、XPS、I-V等方法研究了Cd1-xZnxTe(CZT)表面处理工艺与晶片漏电流之间的相互关系。结果表明,机械抛光后的CZT晶片存在损伤层,采用5%BM溶液腐蚀可有效去除损伤层,得到光滑无划痕的表面,但腐蚀后晶片表面组成偏离化学计量配比,随腐蚀时间的延长表面呈现富Te现象,晶体表面漏电流随之增大1～2个数量级;采用KOH溶液对BM抛光后的晶片进一步腐蚀10min,可消除多余的Te得到接近于化学计量比的表面;采用NH4F/H2O2溶液对晶片表面进行钝化,XPS分析表明样品表面的Te0或Te2-被氧化成Te4+,形成高阻氧化层。I-V测试结果表明晶片经KOH+NH4F/H2O2溶液两步钝化后,表面漏电流相对于BM抛光后降低2～3个数量级,具有较好的钝化效果。
- 邱春丽赵北君朱世富丁群何知宇陈宝军
- 关键词：表面处理钝化XPS分析漏电流
- CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究被引量：1
- 2008年
- 采用改进的Bridgman法生长出Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的分凝所引起。对XRD粉末衍射测试的结果进行结构分析,计算出上述不同位置的晶胞常数变化规律呈现递增趋势,表明Zn含量呈现递减趋势,与EDX实验结果一致。
- 李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军
- 关键词：碲锌镉晶格常数
- 碲锌镉晶体的In、Cd双源气氛退火研究被引量：1
- 2011年
- 采用改进的垂直Bridgman法生长出尺寸为Φ20 mm×40 mm、外观完整无裂纹的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te(CZT)单晶体.沿晶体解理面切割晶片,在In、Cd气氛下进行退火热处理,经973K退火140 h后,采用能量色散谱仪(EDS)、ZC36型高阻仪和傅里叶红外分光光度计等研究了退火对晶片的成分、电学、光学性能的影响.实验结果表明:在In、Cd双源气氛下退火后:晶体的晶格完整性得到改善,电阻率提高了2～3个数量级,红外透过率显著提高.
- 丁群赵北君朱世富邱春丽何知宇陈宝军刘勇
- 关键词：碲锌镉晶体电阻率EDS
- 表面处理对CZT探测器漏电流的影响
- CdZnTe晶体具有优异的光电性能,是制作室温核辐射探测器的理想材料。目前CZT探测器存在的主要问题是能量分辨率不高、电荷收集率较低,表面漏电流引起的噪声对探测器性能的影响较大,这与器件制作工艺密切相关。本文对切割晶片的...
- 邱春丽赵北君朱世富丁群何知宇陈宝军
- 关键词：CDZNTE晶体钝化处理XPS分析
- 文献传递
- 垂直布里奇曼法生长Cd1-xZnxTe晶体的位错分布研究
- 使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe（CZT）单晶体位错分布规律。实验中选择（110）面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-Ⅱ腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错...
- 王智贤赵北君朱世富邱春丽李新磊何知宇陈宝军
- 关键词：CDZNTE晶体位错分布
- 文献传递
