您的位置: 专家智库 > >

王春兰

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:武汉大学更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇旋涂
  • 2篇氧化铟
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇锌盐
  • 2篇
  • 2篇场效应
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇物性研究
  • 1篇晶体管
  • 1篇非晶
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管

机构

  • 3篇武汉大学

作者

  • 3篇王春兰
  • 2篇刘曰利
  • 2篇刘兴强
  • 2篇贺彪
  • 2篇陈文
  • 2篇廖蕾

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供了一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管,以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层,在复合薄膜中,复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%~1%。将0.5%~1%摩尔比的氧化铟纳米颗...
廖蕾王春兰刘曰利刘兴强陈文贺彪
基于无机纳米结构复合薄膜的物性研究及晶体管研制
薄膜电子器件为满足高性能电子信息显示器,正在经历着快速的增长,同时也扩大到如柔性电子、可穿戴电子、一次性电子、电子纸和电子皮肤等新型透明电子器件以及太阳能、射频身份识别、光敏探测器、X射线图谱仪等功能型电子器件。由于高新...
王春兰
关键词:薄膜晶体管
非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供了一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管,以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层,在复合薄膜中,复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%~1%。将0.5%~1%摩尔比的氧化铟纳米颗...
廖蕾王春兰刘曰利刘兴强陈文贺彪
文献传递
共1页<1>
聚类工具0