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刘兴强

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇场效应
  • 4篇氧化铟
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇碳纳米管复合
  • 4篇锌盐
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 4篇锌
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇旋涂
  • 2篇退火
  • 2篇迁移
  • 2篇热退火
  • 2篇阈值电压
  • 2篇镁
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇电学稳定性

机构

  • 7篇武汉大学

作者

  • 7篇刘兴强
  • 7篇廖蕾
  • 4篇刘曰利
  • 4篇贺彪
  • 4篇陈文
  • 2篇王春兰
  • 1篇刘传胜
  • 1篇许磊

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供了一种非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管，以柔性氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳纳米管和氧化铟锌的质量比在0.027%-2.74%之间。将碳纳米管加入到铟盐-锌盐复合胶体溶液中，制备...
廖蕾刘曰利刘兴强陈文贺彪
文献传递
非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供了一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管，以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%～1%。将0.5%～1%摩尔比的氧化铟纳米颗...
廖蕾王春兰刘曰利刘兴强陈文贺彪
一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法
一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管是以氢等离子体钝化处理的掺杂钛或镁的氧化锌基半导体材料为沟道层。其制法为以生长有二氧化硅的重掺杂P型硅片为基底，对Ti或Mg与氧化锌的复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过第一次掩膜沉积在基底上形...
廖蕾许磊刘兴强刘传胜
文献传递
非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种高性能薄膜晶体管，以非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳原子和氧化物中的金属阳离子摩尔比在0-25%之间。通过对氧化物组分的调制，实现了对阈值电压从-10V到6V的连续调控。该高性...
廖蕾刘兴强
非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供了一种非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管，以柔性氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳纳米管和氧化铟锌的质量比在0.027%-2.74%之间。将碳纳米管加入到铟盐-锌盐复合胶体溶液中，制备...
廖蕾刘曰利刘兴强陈文贺彪
非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供了一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管，以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%～1%。将0.5%～1%摩尔比的氧化铟纳米颗...
廖蕾王春兰刘曰利刘兴强陈文贺彪
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非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种高性能薄膜晶体管，以非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳原子和氧化物中的金属阳离子摩尔比在0-25%之间。通过对氧化物组分的调制，实现了对阈值电压从-10V到6V的连续调控。该高性...
廖蕾刘兴强
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