武长强
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：天津理工大学更多>>
- 发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于TiO2柔性阻变存储器性能研究
- 近年来，随着电子产品的快速发展，人们对于轻便超便携，低功耗及高密度快速存储设备的要求越来越高，而且鉴于传统Flash存储器在集成电路工艺技术发展中受到限制，新型非挥发性存储器，如RRAM(ResistiveRandomA...
- 武长强
- 关键词：氧化钛电极材料开关特性
- 一种高性能多层薄膜结构声表面波器件的制备方法
- 一种高性能多层薄膜结构声表面波器件的制备方法，其衬底为化学汽相沉积CVD金刚石薄膜，在CVD金刚石薄膜衬底表面形成有一层六方氮化硼h-BN薄膜，该薄膜采用真空溅射法沉积，其衬底为镜面抛光硅衬底，晶面指数为100，真空溅射...
- 薛玉明杨保和祝俊刚辛志军狄海荣武长强
- 文献传递
- 基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法
- 一种基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为由氧化钒介质层和氧化锌介质层组成的叠层结构，氧化钒介质层和氧化锌介质层薄膜采用直流溅射或射频溅射法制备。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧...
- 张楷亮孙阔王芳陆涛刘凯武长强赵金石
- 文献传递
- 氧化钒薄膜的制备及电致开关特性的研究被引量：4
- 2011年
- 采用反应溅射法,室温下,在Cu/Ti/SiO2/Si衬底上制备了氧化钒（VOx）薄膜,并对薄膜进行450℃、30min的真空退火处理。采用X-射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）对薄膜的结晶取向和表面形貌进行了表征,通过半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试,并利用导电原子力显微镜（CAFM）对VOx薄膜的导电机制进行了探索。测试结果表明,VOx薄膜在Cu/Ti/SiO2/Si衬底取向生长,并且是以V2O5为主的V6O13和V2O5的混合物,薄膜表面颗粒大小均匀（30~40 nm）,粗糙度为2.4 nm。电学测试结果表明薄膜具有较低（Vset=0.72 V,Vreset=0.39 V）的开关电压,开关电阻的转变倍率约3个数量级,经CAFM测试发现,VOx薄膜导电态中有导电细丝,结合VOx/Cu界面态及Cu离子快扩散特性,认为VOx薄膜导电态主要是Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝所致。
- 张楷亮韦晓莹王芳武长强赵金石
- 基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法
- 一种基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为由氧化钒介质层和氧化锌介质层组成的叠层结构，氧化钒介质层和氧化锌介质层薄膜采用直流溅射或射频溅射法制备。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧...
- 张楷亮孙阔王芳陆涛刘凯武长强赵金石
- 一种含有快速开关器件的阻变型存储器单元及其制备方法
- 一种含有快速开关器件的阻变型存储器单元，其基本单元由下电极、阻变存储功能层、中间电极、开关器件功能层、上电极和绝缘层构成，两个功能层镶嵌在三个电极之间并形成五叠层结构，三个电极和两个功能层位于绝缘层的孔洞中。本发明的优点...
- 张楷亮王麒王芳武长强赵金石胡智翔
- 文献传递
