杨恒
- 作品数：145 被引量：136H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程理学更多>>
- 一种基于表面张力的硅通孔互连快速填充技术
- 2016年
- 硅通孔互连(TSV)技术是三维电子封装中主要的电互连技术之一。针对常用的电镀填充方式对于尺寸较大的TSV存在填充速度慢的问题,提出了一种基于表面张力的TSV快速填充技术。该技术利用毛细现象和液桥夹断现象通过喷嘴实现液态金属在TSV通孔及盲孔的填充。使用扫描电子显微镜(SEM)分别对直径为120μm、深度为420μm的通孔和直径为90μm、深度为350μm的盲孔填充后的表面形貌和剖面形貌进行了观测。测得填充TSV阻值约为10mΩ。该技术避免了常用的电镀填充方法所需要的种子层沉积以及化学机械研磨等工艺,可显著降低TSV的填充制造成本。
- 刘冰杰顾杰斌杨恒
- 关键词：毛细现象液桥
- 一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺
- 本发明提供一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺，首先将自组装方法制作的光刻胶薄膜粘覆转移于存在沟槽或间隙的半导体材料表面形成平整的悬架光刻胶结构，曝光显影以选择性去除不需要部位的光刻胶膜并坚膜，之后在室温条件下在光...
- 吴紫阳杨恒李昕欣王跃林
- 在（111）晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法
- 本发明涉及一种在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑，金属线条与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；同时纳米梁为浅槽区包围，纳米梁下表面与...
- 杨恒李铁焦继伟李昕欣王跃林
- 文献传递
- 耦合谐振的谐振式应变传感器
- 本发明提供一种耦合谐振的谐振式应变传感器，包括两根敏感梁，各敏感梁的两端被固定支撑；检测梁，连接于所述两根敏感梁之间；其中，所述敏感梁工作于对应力敏感的横振动模态，检测梁工作于整体压阻效应显著的纵振动模态，敏感梁与检测梁...
- 杨恒魏文杉刘大洋李昕欣
- 文献传递
- 一种圆片级薄膜封装方法及封装器件
- 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属...
- 钟朋裴彬彬孙珂杨恒李昕欣
- 基于MOS电容衬底压阻的纳米梁检测研究
- 2011年
- 传统的纳米谐振器压阻检测在工艺上需解决制备结深浅、掺杂浓度高的薄层电阻的技术难题。基于MOS电容衬底压阻的谐振式纳米梁系统是一种新型的压阻检测方案,它通过将MOS电容耗尽层下的掺杂区用作力敏电阻,回避了制备浅结高浓度电阻的技术问题,也解决了MOS沟道压阻抗干扰性差的问题,在SoI硅片上制作了150 nm厚的梁结构。在检测方面,通过设计屏蔽式驱动封装结构,解决了驱动信号电磁耦合干扰的问题,并结合一系列降低噪声、减小串扰的措施,实现了μV量级的微弱信号检测。测试得到该结构在常温常压下的Q值为197,谐振峰频率为3.96 MHz,输出端检测灵敏度为0.73 mV/nm。
- 丁萃成海涛杨恒
- 关键词：谐振器压阻检测MOS电容
- 用掩膜和无掩膜技术一次成型原子力显微镜探针和悬臂梁
- 本发明提供了一种利用掩膜-无掩膜腐蚀技术实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中，探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀，而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀，当探针针尖的直径达到预定值时，梁的厚度达到设定值。本发明所...
- 李昕欣韩建强鲍敏杭杨恒沈绍群王跃林
- 文献传递
- 基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺
- 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶...
- 叶超展孙珂杨恒李昕欣
- 硅多层微机械结构无掩模腐蚀新技术及在力敏结构制作中的应用
- 1998年
- 提出一种新型硅无掩模腐蚀技术。利用设计一块掩模和进行一次常规有掩模腐蚀之后的无掩模腐蚀工艺，可制作多层次的硅微机械结构，结构层数原则上不受限制，各层次的位置和相应深度方便可控。基于该技术，给出了制作的几例多层力学量传感器结构结果。该技术将可望广泛应用于半导体微机械传感器和执行器中。
- 李昕欣杨恒鲍敏杭沈绍群
- 关键词：硅各向异性腐蚀微结构力敏传感器
- 用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法
- 本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅...
- 杨恒豆传国戈肖鸿吴燕红李昕欣
- 文献传递
