杨国文
- 作品数：30 被引量：49H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
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- 高质量InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的研制
- InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器是近几年来国际上受到高度重视,具有广阔应用前景和发展十分迅速的一种新型半导体激光器.该论文针对高质量InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的研制作了深入而细致的研究,在超薄层...
- 杨国文
- 关键词：INGAAS/ALGAAS量子阱激光器结构参数
- 低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器
- 1996年
- 报道了低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器的制备，介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制ｐｓ特性。该激光器激射波长约为８５０ｎｍ，调谐宽度为７ｎｍ。
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- 关键词：激光器放大器
- 在脊形波导级联双区量子阱激光器中皮秒光脉冲的产生被引量：1
- 1995年
- 本文讨论脊形波导级联双区增益（或Ｑ）开关ＭＢＥ生长量子阱皮秒激光器的工作原理和实验，测得的脉冲半峰竞ＦＷＨＭ＜６０ｐｓ，与理论值符合很好．
- 张敬明徐遵图杨国文郑婉华李世祖肖建伟徐俊英陈良惠
- 关键词：量子阱激光器激光器波导
- 低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器被引量：1
- 1993年
- 本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm^2,最低达675A/cm^2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。
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- 关键词：半导体激光器
- 窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析被引量：7
- 1996年
- 本文对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析，提出了实现２０°～３０°垂直发散角的有效途径，并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重要参数的影响．
- 杨国文徐俊英张敬明徐遵图陈良惠王启明
- 关键词：砷化镓ALGAAS量子阱激光器激光器
- 用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器
- 1997年
- 利用分子束外延（MBE）方法研制出了高质量的InGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到120A／cm2，激发波长在980nm左右。获得了高性能的适合于掺饵光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流为15mA，外微分量子效率的典型值和最好值分别为0．8mW／mA和1．0mW／mA，线性输出功率大于120mW，在20℃一50℃的特征温度T0为125K。器件在59℃，80mW下的恒功率老化实验表明具有较好的可靠性，与掺铒单模光纤耦合的组合件出纤功率可达63mW。
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- 关键词：量子阱激光器掺铒光纤放大器分子束外延
- 低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
- 1992年
- 采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
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- 关键词：激光器应变层量子阱结构
- 快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究
- 1998年
- 用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究．用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大．对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能．９５０℃，３０ｓ退火条件下，铝原子的扩散系数为６６×１０－１６ｃｍ２／ｓ，扩散过程的激活能为５０ｅＶ．
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- 关键词：半导体激光器双量子阱砷化镓
- 具有电流自对准特点的掩埋结构ＧａＡｓ／ＧａＡ Ａｓ激光器
- 杨国文肖建伟
- 关键词：激光器半导体工艺液相外延生长
- InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性被引量：2
- 1999年
- 利用分子束外延方法研制的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件．通过对其５０℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为，即快速退化、慢退化和端面光学灾变损伤进行了分析与研究．
- 杨国文徐俊英徐遵图张敬明陈良惠
- 关键词：应变量子阱激光器可靠性分子束外延
