张敬明
- 作品数：49 被引量：84H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 在脊形波导级联双区量子阱激光器中皮秒光脉冲的产生被引量：1
- 1995年
- 本文讨论脊形波导级联双区增益（或Ｑ）开关ＭＢＥ生长量子阱皮秒激光器的工作原理和实验，测得的脉冲半峰竞ＦＷＨＭ＜６０ｐｓ，与理论值符合很好．
- 张敬明徐遵图杨国文郑婉华李世祖肖建伟徐俊英陈良惠
- 关键词：量子阱激光器激光器波导
- 低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器被引量：1
- 1993年
- 本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm^2,最低达675A/cm^2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。
- 杨国文肖建伟徐遵图徐俊英张敬明陈良惠
- 关键词：半导体激光器
- 高功率高亮度激光器
- 一种高功率高亮度的半导体P－I－N二极管激光器的芯片结构,它包括由在折射率分布各不相同的一有源子波导和一无源子波导之间夹接一层耦合层组成一组合波导,组合波导的无源子波导一侧叠接下层限制层并叠接在一块半导体基片上,半导体基...
- 张敬明
- 文献传递
- 高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用被引量：2
- 1995年
- 通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材料，实现了７５ｍｍ大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性．研制了高质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱超晶格材料，并应用于量子阱激光器材料的研制，获得了具有极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的高质量量子阶激光器外延材料．
- 杨国文肖建伟徐遵图郑婉华曾一平徐俊英张敬明陈良惠
- 关键词：砷化镓分子束外延生长超晶格
- 高功率高亮度激光器
- 张敬明
- 该发明涉及一种半导体二极管激光器的芯片结构，它是一种能增大输出功率，能在基侧，横模单峰远场工作并减小远场发散角的半导体脊形波导二极管激光器的芯片结构。现有半导体激光器一直在提高输出功率、单模工作和脊形横向远场发散角等方面...
- 关键词：
- 关键词：半导体二极管激光器专用集成电路半导体激光器大功率激光器
- 915-980nm应变量子阱激光器新进展被引量：3
- 2000年
- 报道了915～980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为70和230,组合件输出功率大于150mW。
- 徐遵图张敬明马骁宇刘素平刘忠顺方高瞻肖建伟陈良惠
- 关键词：应变量子阱激光器半导体激光器输出功率
- 915-980nm应变量子阱激光器新进展
- 报道了915～980nm半导体激光器的最新进展，宽条激光器输出功率为0.2～2.0W，最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW，水平和垂直方向远场发射角分别为7<'0>和23<'0>，组合件输...
- 徐遵图张敬明马骁宇
- 关键词：应变量子阱激光器
- 文献传递
- MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器被引量：8
- 1994年
- 我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２和２４０Ａ／ｃｍ２．腔长在１２００μｍ的双量子阱激光器的阈电流密度低达１９０Ａ／ｃｍ２．对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型（８０μｍ）．激光器，线性输出功率高达１．８２Ｗ；出光面的斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ；利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达８ｍＡ，且具有非常好的均匀性．
- 杨国文肖建伟徐遵图张敬明徐俊英郑婉华曾一平陈良惠
- 关键词：量子阱激光器砷化镓分子束外延
- 量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响被引量：1
- 1995年
- 计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合．
- 张敬明徐遵图杨国文郑婉华钱毅李世祖肖建伟徐俊英陈良惠
- 关键词：光增益激射特性温度
- 新型垂直集成坎源波导高功率量子阱二极管激光器
- 张敬明徐遵图马晓宇陈良惠
- 关键词：二极管激光器
