张训生
- 作品数：44 被引量：123H指数：9
- 供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学电子电信更多>>
- 利用智能加速度测试仪测定动摩擦系数被引量：3
- 2001年
- 本文介绍了一种利用智能加速度测试仪来测定不同材料间滑动摩擦系数的新方法。
- 陈水桥陈洪山张训生
- NO在Cs/Ru(1010)表面上吸附的ARUPS研究
- 1997年
- 在１５０Ｋ的低温下，ＮＯ在清洁的Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，ＨｅＩ－ＡＲＵＰＳ显示在Ｅｆ以下９．３ｅＶ（５σ＋１π）和１４．６ｅＶ（４σ）处有两个峰，表明ＮＯ在Ｒｕ（１０１０）表面上是分子吸附。ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，ＡＲＵＰＳ测得在Ｅｆ以下６．２、９．２、１１．１、１２．４和１４．９ｅＶ处有５个峰，和Ｎ２Ｏ气相的ＵＰＳ谱比较认定它们是Ｎ２Ｏ和ＮＯ共存的结果，表明ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ（１０１０）表面上分解后可形成Ｎ２Ｏ分子的吸附。
- 李海洋鲍世宁张训生范朝阳鲍德松魏赛珍毛祖遂徐亚伯
- 关键词：ARUPS钌铯
- 二维斜面粗糙边界附近颗粒流量密度分布被引量：10
- 2005年
- 以往的实验研究中 ,已经知道粗糙边界条件下 ,二维颗粒流的颗粒流量是以通道中心横向对称分布的 ,颗粒流横向分布既受通道宽度的影响 ,同时也受通道斜面倾斜角的影响 ,而且颗粒在通道两侧的分布明显少于通道中间 .主要研究粗糙边界附近颗粒分布随通道宽度以及通道斜面倾斜角的变化规律 .在稀疏流状态以及保持边界墙体的粗糙度不变的条件下 ,对应不同通道宽度 ,粗糙边界附近 10d范围内的颗粒流量密度 (ξ =ρv)随斜面倾斜角的增大而减小 ,颗粒流量密度随通道宽度的变化存在一临界宽度Wc;在通道宽度小于Wc 时 ,粗糙墙体附近 10d范围内颗粒流量密度 ξ随sinθ呈指数衰减 ,通道宽度大于Wc 时 ,颗粒流量密度 ξ_sinθ曲线随θ增大几乎呈线性减小 .
- 鲍德松周英张训生唐孝威
- 关键词：颗粒流稀疏流流量密度倾斜角
- GaP(111)面氧的热脱附
- 1990年
- 一、引言GaP是与GaAs相类似的Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物。它在集成电路,发光器件,阴极等方面有着广泛的应用。对GaAs表面吸附已有了大量的研究。而对GaP表面的研究较少。本文报导用热脱附方法对GaP(111)面氧的吸附性质进行的研究。
- 朱立张训生李海洋徐亚伯
- 关键词：热脱附GAP发光器件分子吸附吸附量
- 平面颗粒流的瓶颈效应及其与速度的关系被引量：22
- 2003年
- 通过实验研究了二维传送带上圆片颗粒运动与开口大小及传送带速度的关系 ,发现当开口尺寸d固定时 ,存在临界速度vc,在v
- 鲍德松张训生徐光磊潘正权唐孝威陆坤权
- n-GaAs(100)表面及Na/n-GaAs(100)界面的光电子谱研究
- 1993年
- 采用X射线光电子谱(XPS)及紫外光电子谱(UPS),对经5keV Ar^+离子轰击后的n-GaAs(100)表面及其Na/GaAs(100)界面作了详细的研究。并且和Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面进行比较,以揭示Ar^+离子轰击对金属/n-GaAs(100)界面的影响。结果表明,经5keV氩离子轰击后的n-GaAs(100)表面,其功函数较n-GaAs(100)-(4×1)表面大0.3eV。而且,Na在低覆盖度时(θ≤0.02ML)。轰击后的GaAs(100)表面,Na/n-GaAs(100)界面费米能级移动量为0.7eV,而Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面,其费米能级移动量仅为0.3eV。
- 鲍德松张训生董峰吴新王强
- 关键词：砷化镓钠光电子谱
- AB_2型储氢材料表面吸氢的光电子谱研究
- 2001年
- AB2 型金属间化合物是新型的储氢材料 ,对 Zr V2 和 Zr Mn2 表面吸氢前后进行了紫外光电子谱( UPS)测量 .吸氢前后的差谱中 ,发现 Zr V2 吸氢后 ,结合能在 8e V左右出现较宽的吸附氢诱导的光电子谱峰 ;而 Zr Mn2 吸氢后 ,在 5e V左右有一个明显的峰 .实验结果表明 :氢在 Zr V2 表面的吸附所成M—H键的电子态的结合能比 Zr Mn2 表面上的要大 ,与 Zr V2
- 陈晓李海洋杨晓光张训生鲍世宁
- 关键词：储氢合金光电子谱储氢材料结合能
- 用多媒体网络手段进行物理教学的整体改革
- 2001年
- 张训生潘正权
- 关键词：高校教学改革大学物理多媒体技术网络技术物理教学
- 开展创新教育,激发创新精神──浅析多层次教学方法探索
- 本文主要介绍了浙江大学物理实验中心多层次素质教学改革的探索与研究。内容包括教学改革的基本思想、多层次教学体系的基本做法等等。
- 陈洪山陈水桥张训生
- 关键词：物理实验创新教育
- 文献传递
- 表面势垒对俄歇电子极角分布的影响
- 1991年
- 本文根据电子在固体与真空界面的折射反射效应及立体角元的变化,讨论了表面势垒对俄歇电子极角分布的影响,修正了俄歇电子的极角分布公式,首次从理论上证明了均匀体样品俄歇电子的极角分布基本符合cosθ规律而和样品是单晶或多晶及和俄歇电子的能量大小无很大关系这一实验现象。
- 季振国鲍德松刘古张训生
- 关键词：俄歇电子表面势垒角分布单晶材料电子散射表面偏析
