张石勇
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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- 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
- 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
- 牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉
- 文献传递
- 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法
- 一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆...
- 牛智川方志丹倪海桥韩勤龚政张石勇佟存柱彭红玲吴东海赵欢吴荣汉
- 文献传递
- 室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器
- 2007年
- 研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59μm,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现了室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2.
- 赵欢杜云倪海桥张石勇韩勤徐应强牛智川吴荣汉
- 关键词：分子束外延快速热退火
- 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
- 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
- 牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉
- 文献传递
- 快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响
- 本文从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs...
- 张石勇徐应强任正伟牛智川吴荣汉
- 关键词：快速热退火半导体材料
- 文献传递
- 快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响被引量：3
- 2005年
- 用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV).
- 苗振华徐应强张石勇吴东海赵欢牛智川
- 关键词：分子束外延快速热退火
- 1.3μmGaAs基GaInNAs量子阱生长与激光器研制(英文)被引量：1
- 2005年
- 报道了中国第一只1.30μm单量子阱边发射激光器的材料生长、器件制备及特性测试.通过优化分子束外延生长参数,调节In和N组分含量使GaInNAs量子阱的发光波长覆盖1.3μm范围.脊形波导条形结构单量子阱边发射激光器,实现了室温连续激射,激射波长为1.30μm,阈值电流密度为1kA/cm2,输出功率为30mW.
- 牛智川韩勤倪海桥杨晓红徐应强杜云张石勇彭红玲赵欢吴东海李树英贺振宏任正伟吴荣汉
- 关键词：分子束外延激光器
- 1·3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长(英文)被引量：2
- 2006年
- 报道了分子束外延生长的1．3μm多层InGaAs／InAs／GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器．室温带边发射峰的半高宽小于35meV，表明量子点大小比较均匀．原子力显微镜图像显示，量子点密度可以控制在（1～7）×10^10cm^-2范围之内，而面密度处于4×10^10cm^-2时有良好的光致发光谱性能．含有三到五层1．3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射．
- 牛智川倪海桥方志丹龚政张石勇吴东海孙征赵欢彭红玲韩勤吴荣汉
- 关键词：量子点砷化铟激光器
- 室温连续激射1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
- 用分子束外延（MBE）生长了含应力缓冲层的InAs量子点激光器.发现用InAlAs/InGaAs作为复合应力缓冲层可有效延展发光波长,增加基态和激发态的能量间隔,但量子点面密度过低.用InGaAs作为应力缓冲层,可使量子...
- 赵欢彭红玲佟存柱倪海桥张石勇吴东海韩勤牛智川吴荣汉
- 关键词：分子束外延量子点
- 文献传递
- 快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响被引量：1
- 2005年
- 从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.
- 张石勇徐应强任正伟牛智川吴荣汉
- 关键词：快速热退火SPINODAL分解
