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张新帅

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇光刻
  • 7篇光刻胶
  • 6篇氯化铯
  • 6篇刻蚀
  • 6篇硅片
  • 5篇离子束
  • 4篇电极
  • 4篇套刻
  • 4篇微结构
  • 4篇显影
  • 4篇离子束刻蚀
  • 3篇掩模
  • 3篇掩膜
  • 3篇粘附
  • 3篇紫外光刻
  • 3篇硅片表面
  • 3篇表面涂覆
  • 2篇电池
  • 2篇镀膜
  • 2篇旋涂

机构

  • 17篇中国科学院

作者

  • 17篇张天冲
  • 17篇王波
  • 17篇刘静
  • 17篇张新帅
  • 17篇伊福廷
  • 8篇王雨婷
  • 2篇李延春

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法
本发明公开了一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法，包括：对硅片进行三氯氧磷扩散形成P-N结结构；去除硅片背面及侧面的P-N结结构；在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极，并在硅片背面形成铝背电极层；在金属栅线电极之上及未...
刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰
一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
本发明公开了一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，包括：采用光刻技术在硅衬底表面获得具有特定图样的掩模；利用该掩模，采用硅刻蚀技术在硅衬底表面刻蚀出具有特定形貌的表面，并去除掩模；采用光刻胶涂覆工艺在硅衬底表面涂覆一层光刻胶...
张天冲伊福廷王波刘静张新帅
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一种改善光刻胶脱落的方法
本发明公开了一种改善光刻胶脱落的方法，该方法是在衬底表面用氯化铯纳米岛自组装技术制备出合适尺寸及高度的纳米柱阵列，旋涂光刻胶后水平静置20分钟，让光刻胶充分嵌入纳米柱阵列之间。这种方法可以有效增加光刻胶与衬底的粘附力，适...
刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰王雨婷
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一种金属微结构及其制作方法
本发明提供了一种金属微结构及其制作方法，其中方法首先在一平整的基片的表面涂覆一层光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影，以在基片的表面形成光刻胶图形，然后令基片发生形变，以使得所述光刻胶图形随所述基片一同发生形变，接着在基片表...
张天冲伊福廷王波刘静张新帅孙钢杰王雨婷
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一种硅片表面纳米孔结构的制备方法
本发明公开了一种硅片表面纳米孔结构的制备方法，该方法包括：在硅片表面制备氯化铯岛结构；在带有氯化铯纳米岛结构的硅片表面蒸镀一层铝金属薄膜，放入去离子水中超声剥离，去掉氯化铯岛结构及其上的铝金属薄膜，得到多孔铝薄膜；以多孔...
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一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法
本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，包括：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；在具有光刻胶图形的铬金种子层之...
刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰王雨婷
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一种实现光刻胶微结构的方法
本发明公开了一种实现光刻胶微结构的方法，该方法包括：在衬底表面制备网状负胶微结构；将该网状负胶微结构从衬底上剥离并平铺在固体正胶衬底上，此固体正胶衬底放置于导电基底上；通过热压的方法，将该网状负胶微结构嵌入该固体正胶衬底...
张天冲伊福廷王波刘静张新帅
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一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法
本发明公开了一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法，该方法是在直径为300微米的圆形金刚石压砧面上制备出10微米宽的电极结构，该方法包括：制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版；将该镂空金属掩膜版与金刚石压砧面对准和固定，使...
刘静伊福廷李延春张天冲王波张新帅孙钢杰王雨婷
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一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法
本发明公开了一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法，包括：对硅片进行三氯氧磷扩散形成P‑N结结构；去除硅片背面及侧面的P‑N结结构；在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极，并在硅片背面形成铝背电极层；在金属栅线电极之上及未...
刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰
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一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法
本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，包括：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；在具有光刻胶图形的铬金种子层之...
刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰王雨婷
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