2024年8月22日
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张天冲
作品数:
31
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院高能物理研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
化学工程
金属学及工艺
理学
一般工业技术
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合作作者
伊福廷
中国科学院高能物理研究所
刘静
中国科学院高能物理研究所
王波
中国科学院高能物理研究所
张新帅
中国科学院高能物理研究所
王雨婷
中国科学院高能物理研究所
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中国科学院大...
作者
31篇
张天冲
31篇
伊福廷
30篇
王波
30篇
刘静
17篇
张新帅
15篇
王雨婷
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1篇
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2019
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2017
8篇
2016
4篇
2015
2篇
2014
1篇
2013
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一种硅片表面纳米孔结构的制备方法
本发明公开了一种硅片表面纳米孔结构的制备方法,该方法包括:在硅片表面制备氯化铯岛结构;在带有氯化铯纳米岛结构的硅片表面蒸镀一层铝金属薄膜,放入去离子水中超声剥离,去掉氯化铯岛结构及其上的铝金属薄膜,得到多孔铝薄膜;以多孔...
刘静
伊福廷
张天冲
王波
张新帅
孙钢杰
文献传递
一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法
本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法,包括:在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜,作为保护结构;在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层,作为底金;在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形;在具有光刻胶图形的铬金种子层之...
刘静
伊福廷
张天冲
王波
张新帅
孙钢杰
王雨婷
文献传递
磁控溅射偏压对Cr薄膜密度以及表面形貌的影响
2016年
利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品。用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射线反射率分析法研究了不同偏压下Cr薄膜密度的变化。发现当偏压小于300 V时,偏压对所沉积的薄膜起到紧致的效果,偏压为300 V时薄膜密度最大;当偏压大于300 V时,薄膜密度减小。另外,为了探究偏压对薄膜表面形貌的影响,用扫描电子显微镜对各样品进行了表面分析,发现在偏压较小时薄膜表面较为平整;随着偏压增大,表面呈现界面分明的岛状分布。
孙钢杰
伊福廷
王焕华
贾全杰
张天冲
关键词:
表面形貌
磁控溅射
偏压
一种Ni柱子辅助PMMA微透镜阵列及其制备方法
本发明公开了一种Ni柱子辅助PMMA微透镜阵列及其制备方法。本方法为:1)在镀铬金的硅片上电镀Ni柱子阵列;2)在电镀有Ni柱子阵列的所述硅片上旋涂一层液态PMMA后进行烘干处理;3)运用套刻技术,将X射线掩膜版与所述硅...
梁小筱
伊福廷
刘静
王波
张天冲
颜铭铭
徐源泽
文献传递
光栅及其制备方法
本发明提供了一种光栅及其制备方法,其中,该方法包括:对第一衬底进行第一处理,得到带有预定结构的第一金制图形,进而得到中间掩膜板;在第二衬底上制备纳米柱阵列,并采用该中间掩膜板对所述纳米柱阵列进行第二处理,得到带有预定结构...
王雨婷
伊福廷
王波
周悦
张天冲
刘静
文献传递
一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法
本发明公开了一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法,包括:对硅片进行三氯氧磷扩散形成P‑N结结构;去除硅片背面及侧面的P‑N结结构;在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极,并在硅片背面形成铝背电极层;在金属栅线电极之上及未...
刘静
伊福廷
张天冲
王波
张新帅
孙钢杰
文献传递
一种Ni柱子辅助PMMA微透镜阵列及其制备方法
本发明公开了一种Ni柱子辅助PMMA微透镜阵列及其制备方法。本方法为:1)在镀铬金的硅片上电镀Ni柱子阵列;2)在电镀有Ni柱子阵列的所述硅片上旋涂一层液态PMMA后进行烘干处理;3)运用套刻技术,将X射线掩膜版与所述硅...
梁小筱
伊福廷
刘静
王波
张天冲
颜铭铭
徐源泽
文献传递
一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法
本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法,包括:在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜,作为保护结构;在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层,作为底金;在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形;在具有光刻胶图形的铬金种子层之...
刘静
伊福廷
张天冲
王波
张新帅
孙钢杰
王雨婷
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一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法
本发明公开了一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法,包括:对硅片进行三氯氧磷扩散形成P-N结结构;去除硅片背面及侧面的P-N结结构;在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极,并在硅片背面形成铝背电极层;在金属栅线电极之上及未...
刘静
伊福廷
张天冲
王波
张新帅
孙钢杰
一种LIGA技术的埋丝光刻胶片及其制备方法
本发明公开了一种LIGA技术的埋丝光刻胶片及其制备方法,其步骤包括:1)选取两片PMMA光刻胶片和一有机丝;2)将该有机丝放在两片PMMA光刻胶片之间;3)将两所述PMMA光刻胶片相对的两面融合在一起包裹该有机丝,得到埋...
伊福廷
刘静
张天冲
王波
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