您的位置： 专家智库 > >

张志鹏

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金湖北省青年杰出人才基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇碳化硼
  • 2篇热蒸发
  • 2篇热蒸发法
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米棒阵列
  • 2篇介质
  • 2篇介质薄膜
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米棒
  • 2篇ZNO纳米棒...
  • 2篇B4C
  • 2篇FEPT
  • 2篇垂直磁记录
  • 2篇磁记录
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性能
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光

机构

  • 5篇湖北大学

作者

  • 5篇朱建华
  • 5篇王毅
  • 5篇汪汉斌
  • 5篇张志鹏
  • 5篇杨辅军
  • 5篇莫琦
  • 3篇王浩
  • 2篇王浩
  • 1篇陈如山
  • 1篇陈如山
  • 1篇冯洁

传媒

  • 3篇功能材料

年份

  • 5篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究被引量：1
2007年
采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列，其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD（Pulsed Laser Deposition）的方法制得。与已有的报道不同，该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪（XRD）以及场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）的结果表明，实验得到的ZnO纳米棒阵列整齐垂直排列在衬底上．此外，在常温下测量得到的光致发光（PL）谱和透射电子显微镜显示该ZnO纳米棒阵列结晶较好，无明显的缺陷,研究结果表明纳米棒阵列的形成主要归因于ZnO纳米棒和薄膜之间完美的晶格匹配。
张志鹏王浩莫琦王毅汪汉斌杨辅军朱建华
关键词：热蒸发ZNO纳米棒阵列
FePt/B4C垂直磁记录介质薄膜的制备与表征
采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了(001)择优生长的 FePt/BC 多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征．结果表明,在每一个 FePt 单元层中能得到较好(001)面择优的 fct 相 FePt ...
莫琦王浩陈如山张志鹏王毅杨辅军朱建华汪汉斌
关键词：FEPT垂直磁记录碳化硼
文献传递
FePt/B4C垂直磁记录介质薄膜的制备与表征
2007年
采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了（001）择优生长的FcPt/B4C多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征．结果表明，在每一个FbPt单元层中能得到较好（001）面择优的fet相FbPt合金，并且随着B4C含量的增大，薄膜的有序度提高．高分辨透射电子显微镜及其傅立叶变换表明，FePt层为具有（001）织构的fct相Fe55Pt45合金．样品的M-H曲线显示其垂直膜面方向矫顽力约为302.481kA/m；平行膜面方向矫顽力很小．
莫琦王浩陈如山张志鹏王毅杨辅军朱建华汪汉斌
关键词：FEPT垂直磁记录碳化硼
脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能
2007年
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基底上制备了有效氧化层厚度为8．6nm，介电常数为29．3的HfO2薄膜．借助C射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电镜（HRTEM）分析了样品的微观结构，对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明，该方法制得的HfO2薄膜表面光滑，N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0．203nm变为0．498nm，薄膜由非晶转变为简单正交结构，界面层得到有效控制，该栅介质电容具有良好的C-V特性，较低的漏电流密度（4．3×10^-7A/cm^2，@-1V），是SiO2栅介质的理想替代物．
王毅王浩张志鹏莫琦冯洁朱建华杨辅军汪汉斌
关键词：脉冲激光沉积HFO2薄膜电学特性
热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究
采用热蒸发的方法在 ZnO 薄膜缓冲层上成功制备了高密度的 ZnO 纳米棒阵列,其中 ZnO 薄膜缓冲层是通过 PLD(Pulsed Laser Deposition)的方法制得。与已有的报道不同,该方法未使用任何金属催...
张志鹏王浩莫琦王毅汪汉斌杨辅军朱建华
关键词：热蒸发
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0