杨辅军
- 作品数：25 被引量：23H指数：3
- 供职机构：湖北大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省青年杰出人才基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程文化科学更多>>
- 外延生长的Heusler合金中的各向异性磁电阻效应
- 随着电流方向和磁场方向的变化,通常可以观察到各向异性磁电阻效应。根据Kokado et al.的各向异性磁电阻效应的理论计算,半金属材料通常表现出负的各向异性磁电阻效应。在以Co2FexMn1-xSi (CFMS)外延薄...
- 杨辅军陈晓琴肖君薛运
- 关键词：磁电阻效应各向异性
- 文献传递
- 热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究被引量：1
- 2007年
- 采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列，其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD（Pulsed Laser Deposition）的方法制得。与已有的报道不同，该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪（XRD）以及场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）的结果表明，实验得到的ZnO纳米棒阵列整齐垂直排列在衬底上．此外，在常温下测量得到的光致发光（PL）谱和透射电子显微镜显示该ZnO纳米棒阵列结晶较好，无明显的缺陷,研究结果表明纳米棒阵列的形成主要归因于ZnO纳米棒和薄膜之间完美的晶格匹配。
- 张志鹏王浩莫琦王毅汪汉斌杨辅军朱建华
- 关键词：热蒸发ZNO纳米棒阵列
- 阳极氧化TiO_2纳米管的制备及其储能特性分析
- 2018年
- 用阳极氧化方法制备形貌有序的TiO_2纳米管,通过X线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)分析TiO_2纳米管的物相组成和表面形貌,并对TiO_2纳米管分别进行退火处理和还原处理,比较3种TiO_2纳米管的恒流充放电性能和特征.测试结果表明:1)退火处理的TiO_2纳米管及还原处理的TiO_2纳米管与未处理的TiO_2纳米管相比,其储能能量和储能效率显著提高,性能与理想电容器接近;2)还原处理的TiO_2纳米管具有更高的充放电能量密度和储能效率.
- 林利昕黄秋安杨辅军杨昌平
- 关键词：超级电容器TIO2纳米管恒流充放电
- TiO_2有序纳米管阵列的阳极氧化法制备被引量：3
- 2018年
- 以乙二醇和氟化铵的混合水溶液为电解液,高纯度钛片为电极,采用电化学阳极氧化法制备出表面整洁、高度有序的TiO_2纳米管阵列.系统研究氟化铵含量、电解液浓度,阳极氧化电压、氧化时间对TiO_2纳米管尺寸和形貌的影响.结果表明,当氟化铵质量分数为0.3%,阳极氧化电压为60 V,氧化时间为13 h时,可以制备出表面干净清晰,管长50μm,管径90 nm的高度有序的TiO_2纳米管阵列.
- 董浩黄秋安石大为杨辅军王瑞龙V V Marchenkov杨昌平
- 关键词：阳极氧化法
- 脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能
- 2007年
- 采用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基底上制备了有效氧化层厚度为8．6nm，介电常数为29．3的HfO2薄膜．借助C射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电镜（HRTEM）分析了样品的微观结构，对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明，该方法制得的HfO2薄膜表面光滑，N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0．203nm变为0．498nm，薄膜由非晶转变为简单正交结构，界面层得到有效控制，该栅介质电容具有良好的C-V特性，较低的漏电流密度（4．3×10^-7A/cm^2，@-1V），是SiO2栅介质的理想替代物．
- 王毅王浩张志鹏莫琦冯洁朱建华杨辅军汪汉斌
- 关键词：脉冲激光沉积HFO2薄膜电学特性
- (CoPt/Ag)n纳米复合膜的结构与磁性
- 采用直流磁控溅射的方法制备了一系列（CoPt/Ag）n多层膜,然后在不同温度下进行了退火处理,并对其结构和磁性做了初步的表征,研究了Ag的含量以及薄膜中每一单元厚度与总厚度对退火后薄膜的结构以及磁性能的影响。结果表明,膜...
- 薛双喜王浩杨辅军王君安曹歆WY CheungSP Wong
- 关键词：垂直磁记录
- 文献传递
- La_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3陶瓷的EPIR效应与深能级陷阱态的关系
- 2013年
- 采用固相烧结法制备La0.5Ca0.5MnO3(LCMO)陶瓷样品。以银胶做电极,用两线法对样品电输运性质,特别是对脉冲诱导电阻转变(electrical pulse induced resistance switching,EPIR)效应和忆阻器行为进行了研究。结果表明:室温下LCMO陶瓷表面与电极接触处存在明显的EPIR效应,高、低阻态的电阻值可长时间保持不变,具有良好的抗疲劳性质。样品电阻值与刺激脉冲的极性和幅度有关,当脉冲为正、幅值大于1.2 V、宽度为0.01 s时,样品出现EPIR效应,且处于稳定的高阻态。当脉冲极性反向时,样品处于稳定的低阻态,高低阻态可通过脉冲极性进行切换。当样品置于高阻态,随温度降低,其阻态仍能保持稳定,但高、低阻态差值明显。随温度升高,其阻值保持力下降,高、低阻态在高温区(>600 K)趋于重合。LCMO样品与电极接触处出现EPIR效应主要源于样品表面处的深能级陷阱。
- 吴美玲杨昌平石大为王瑞龙肖海波杨辅军王浩Vyacheslav Marchenkov
- 高取向、低磁阻尼、高剩余电阻比Co2MnSi薄膜的制备与表征
- 杨辅军薛运姚军康泽威肖君陈晓琴
- 晶界偏析对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响
- 2018年
- 采用溶胶凝胶法制备Ca Cu_3Ti_4O_(12),通过球磨对陶瓷样品进行处理,探究此处理方法对Ca Cu_3Ti_4O_(12)介电性能的影响.研究结果表明,球磨对Ca Cu_3Ti_4O_(12)陶瓷样品的介电常数有较大影响.随着球磨时间的增加,样品介电常数显著增加,当球磨时间为4 h,其室温下介电常数可达10~6量级,比未经球磨处理的样品高2个数量级,且随温度升高,介电常数显著增大.温度上升100 K,介电常数约提高一个数量级.同时SEM分析表明,球磨处理Ca Cu_3Ti_4O_(12)样品介电常数的增大与其晶界偏析有较大的关系,特别是晶界处析出的Cu O二次相可极大地提升Ca Cu_3Ti_4O_(12)的极化率,可提高约2个数量级.
- 杨靖鹏徐玲芳王瑞龙肖海波杨辅军V V Marchenkev杨昌平
- 关键词：CACU3TI4O12球磨介电性能晶界偏析
- 《微电子封装与测试》课程教学的改革与实践被引量：1
- 2014年
- 文章研究了《微电子封装与测试》课程改革与实践的必要性,并对《微电子封装与测试》课程改革与优化的基本步骤、具体措施进行了初步探索。
- 杨辅军
- 关键词：微电子课程
