张声豪
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金福建省教育厅科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 温敏二极管的优化设计计算
- 2000年
- 对温度敏感元件提出一种优化设计计算方法，建立了硅温敏二级管的数学模型．在此基础上，用复合形法对硅温敏二级管的结构参数和材料参数进行优化设计计算；用最小二乘法计算了结构参数、材料参数的变化对其主要电学性能参数的影响；并对计算结果进行了分析、讨论．
- 张声豪
- 关键词：敏感元件优化设计硅二极管
- 砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响
- 2003年
- 采用 5种经不同砷压但相同生长温度 ( 1 0 0 0℃ )和时间 ( 5 h)处理的半绝缘 ( SI) Ga As样品 ,利用表面光伏 ( SPV)方法 ,测量和计算了 SI-Ga As在室温 ( 30 0 K)下的主要施主浓度 EL2 、禁带宽度 EgΓ和双极扩散长度 La,并从理论上给出了相应的解释 .
- 王松柏张声豪
- 关键词：半绝缘GAAS禁带宽度半导体材料
- 用喇曼光谱测定Ⅲ-Ⅴ族半导体带隙和载流子浓度
- 1992年
- 用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半导体的载流子浓度。
- 杨锦赐连世阳张声豪颜永美
- 关键词：喇曼光谱半导体带隙载流子
- 用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度被引量：3
- 2003年
- 根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 .
- 王松柏张声豪
- 关键词：半绝缘GAAS禁带宽度半导体材料
- Oxide/GaAs的费米能级钉扎效应被引量：2
- 1992年
- 用表面光伏方法研究了N-GaAs(100)在21～320K温度范围内的表面势V_、表面费米能级R_的温度性质和费米能级钉扎效应,得到Oxide/N-GaAs(100)系统的费米能级钉扎位置为E.+0.75eV,并通过与已有工作的比较指出GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的费米能级钉扎位置应与晶面取向无直接联系。
- 张声豪
- 关键词：表面光伏费米能级钉扎砷化镓
- 半绝缘GaAs中的双极扩散长度被引量：2
- 1999年
- 分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度，用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度，并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长度 Ｌａ 是反映 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 质量的一个重要电学参数．
- 王松柏张声豪
- 关键词：砷化镓半绝缘砷化镓
- N型GaAs少子扩散长度的温度特性被引量：1
- 1990年
- 根据 Sturge 和Hwang 的实验数据,通过计算机拟合、内插方法获得了所需能量范围内 13种温度的 GaAs 吸收谱。在此基础上,采用表面光伏方法在 21～320 K 温度范围内测试了不同掺杂浓度的 N型 GaAs样品的少子扩散长度。得到了一组反映少子扩散长度温度特性的实验曲线,并由实验曲线得到可用于计算不同温度下少子扩散长度Lp(T)的经验公式。
- 张声豪
- 关键词：砷化镓吸收谱温度特性
- 用表面光伏方法测量GaAs电学参数被引量：1
- 1992年
- 用表面光伏方法和计算机拟合技术得到N-GaAs的(?)等电学参数在21～320 K的数值、温度关系曲线和μ_γ的半经验公式。
- 张声豪
- 关键词：表面光伏砷化镓电学参数
- 半导体材料特性和参数研究被引量：3
- 2001年
- 提出超晶格 (Al As/ Ga As)和应变超晶格 (Gex Si1-x/ Si,Inx Ga1-x As/ Ga As)光伏效应的机理 ,测量了不同温度下的光伏谱 ,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰 .计算了导带和价带子带的位置和带宽 ,根据宇称守恒确定光跃迁选择定则 ,对跃迁峰进行指认 .研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化 ,讨论谱峰展宽机制中的声子关联 ,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响 .测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱 ,推导了有关计算公式 ,计算得出电学参数 (L、n0 、μ、S、W)、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分 ;分析了电学参数的温度关系 ;由双能级复合理论 ,研究了少子扩散长度与深能级关系 ,计算了深能级浓度和参数 .在不同条件下研制了二氧化锡 /多孔硅 /硅 (Sn O2 / PS/ Si)和二氧化锡 /硅 (Sn O2 / Si) ,测量了它们的光伏谱 ,分析表明它们存在着异质结 .当样品吸附还原性气体 (H2 、CO、液化石油气 )时 ,光电压有明显变化 ,因此可做为一种新的敏感元件 .分析了它们的吸附机理 。
- 沈顗华朱文章吴正云吴孙桃张声豪陈朝颜永美周海文陈议明刘士毅
- 关键词：光伏效应超晶格多孔硅应变超晶格电学性质二氧化锡
- 温敏二极管性能的优化研究被引量：1
- 1998年
- 从优化设计的需要出发，推导了温敏二极管灵敏度、线性度和串联电阻等电参数的理论公式．采用优化分析法，讨论了影响温敏二极管性能诸多因素的矛盾关系，提出温敏二极管的设计原则及解决相关矛盾的方法．理论分析得到实验结果的有力支持．
- 张声豪谢延贵吴孙桃
- 关键词：敏感元件
