吴正云
- 作品数：85 被引量：98H指数：5
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金舟山市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 不同衬底对溶胶凝胶法制备的TiO2薄膜结构的影响
- TiO2 薄膜通过溶胶凝胶法（sol-gel）沉积在SiNx、SiOx、Si等不同衬底上，并采用XRD、 Raman光谱等实验手段分析TiO2 薄膜在不同衬底上的结构特点。结果表明，衬底对TiO2 薄膜的结晶质量等性质有...
- 谢燕楠黄火林吴正云
- 关键词：溶胶凝胶法二氧化钛薄膜
- 文献传递
- 金属硅的酸洗和氧化提纯被引量：15
- 2009年
- 为了降低金属硅酸洗的后续工艺难度,在成熟的常温酸洗技术的基础上加上湿氧氧化新技术对金属硅进行提纯.酸洗主要作用是去除大部分裸露在金属硅颗粒表面的金属杂质;而湿氧氧化后,使颗粒内部分凝系数(在硅和二氧化硅系统中的分凝系数)较小的硼在高温下扩散进入二氧化硅中,再腐蚀去除氧化层和其中的杂质.实验表明该方法对硼杂质有明显的提纯作用,提纯后,硼杂质的含量最低为4×10-6.两种技术在工艺上兼容,在提纯目标上互补,是非常有效的低能耗和低成本的提纯方法.
- 庞爱锁潘淼郭生士吴正云陈朝
- 关键词：金属硅酸洗提纯
- 4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究
- 本文通过实验研究表明，4H-SiC p-i-n紫外光电探测器由于深能级缺陷对测试频率有响应从而导致相同温度、相同偏压下其结电容值比1 MHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级缺陷俘获的载流子被热激活从而使有效空间...
- 蔡加法陈厦平洪荣墩吴正云
- 关键词：紫外光电探测器电容特性电压特性碳化硅材料
- 文献传递
- 减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法
- 减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法，涉及一种碳化硅表面刻蚀，尤其是涉及一种采用感应耦合等离子体技术实现碳化硅材料刻蚀过程中一种减少ICP刻蚀SiC表面损伤的新方法。提供一种新的减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法。其步骤为...
- 吴正云吕英
- 文献传递
- 4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
- 2011年
- 利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,后向长波方向移动,在60 K时移至282 nm附近;同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小。此外,我们对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论,提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应。
- 郑云哲林冰金张明昆蔡加法陈厦平吴正云
- 关键词：光电子学温度特性光电特性
- 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
- 2011年
- 应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3)。模拟分析了该APD的反向Ⅳ特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子10~5;在0 V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58%;临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×10~3;其归一化探测率最大可达1.5×10^(16)cmHz^(1/2)W^(-1)。结果显示该APD具有较好的紫外探测性能。
- 钟林瑛洪荣墩林伯金蔡加法陈厦平吴正云
- 关键词：APD光谱响应探测率
- 不同退火温度下金属/4H—SiC Schottky势垒高度的研究被引量：4
- 2005年
- 采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky 接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子。在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好。样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差; Ag、Cr的SBH在退火后降低。SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11。
- 杨克勤陈厦平杨伟锋孔令民蔡加法林雪娇吴正云
- 关键词：光电子学4H-SIC退火
- InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质被引量：1
- 2007年
- 在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的。采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研究了其光致发光稳态和瞬态特性。研究发现,InGaAs量子阱层可以有效地缓冲InAs量子点中的应变,提高量子点的生长质量,可以在室温下探测到较强的发光峰。在量子阱中生长量子点可以获得室温下1 318 nm的发光,并且使其PL谱的半高宽减小到25 meV。
- 孔令民姚建明吴正云
- 关键词：时间分辨谱
- 具有球冠结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备方法
- 具有球冠结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备方法，紫外光电探测器采用p‑i‑n结构，在高掺杂偏轴4°的双抛N<Sup>+</Sup>型4H‑SiC衬底上，依次生长N型缓冲层和i型吸收层，在i型吸收层形成弧形倾斜台面，形...
- 洪荣墩吴俊慷吴正云
- 一种具有石墨烯透明电极的碳化硅雪崩光电探测器
- 一种具有石墨烯透明电极的碳化硅雪崩光电探测器，涉及半导体光电探测器。设有衬底，在衬底上依次设有同质的第一N型外延缓冲层、N<Sup>‑</Sup>型外延吸收层、第二N型外延倍增层和P<Sup>+</Sup>型欧姆接触层；...
- 洪荣墩吴正云林鼎渠张志威孙存志
- 文献传递
