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尚勋忠
作品数:
4
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供职机构:
中国科学院物理研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王文冲
中国科学院物理研究所
周均铭
中国科学院物理研究所
黄绮
中国科学院物理研究所
贾海强
中国科学院物理研究所
陈弘
中国科学院物理研究所
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尚勋忠
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黄绮
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周均铭
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王文冲
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陈弘
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贾海强
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吴曙东
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牛萍娟
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郭丽伟
传媒
1篇
Journa...
年份
1篇
2006
3篇
2004
共
4
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GaAs基异质结双极晶体管材料生长和器件特性研究
该文首先叙述了HBT的特性、结构设计、典型材料结构、制作工艺以及GaAs基异质结双极晶体管结构的研究状况,然后详细描述了分子束外延设备原理和构造,最后研究了GaAs基AlGaAs/GaAs,InGaP/GaAs,InAl...
尚勋忠
关键词:
分子束外延
异质结双极晶体管
ALGAAS
INGAP
INALAS/INGAAS
文献传递
一种制备在GaAs衬底上生长含Al外延层半导体材料的方法
本发明涉及一种制备在GaAs衬底上生长含Al外延层的半导体材料的方法,将GaAs衬底在真空中,以常规方法将其表面在As分子束保护下加热到580℃脱去表面氧化膜,然后通入As:Ga束流,生长GaAs缓冲层,在GaAs缓冲层...
周均铭
陈弘
王文冲
贾海强
尚勋忠
黄绮
文献传递
一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层半导体材料的方法
本发明涉及一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层的半导体材料的方法,将GaAs衬底在真空中,以常规方法将其表面在As分子束保护下加热到580℃脱去表面氧化膜,然后通入As∶Ga束流,生长GaAs缓冲层,在GaAs缓冲层...
周均铭
陈弘
王文冲
贾海强
尚勋忠
黄绮
文献传递
掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用
2004年
研究了 Al Ga As层掺 1%的 In对 Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响 .2 5 K的光致发光结果表明 ,In作为表面活化剂能有效改善 Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度 .将此方法应用到反型 Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)材料结构中 ,Hall测量表明该方法能有效提高反型
尚勋忠
王文冲
郭丽伟
吴曙东
牛萍娟
黄绮
周均铭
关键词:
高电子迁移率晶体管
界面粗糙度
光致发光
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