王文冲
- 作品数：17 被引量：0H指数：0
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- AlAs氧化层的Raman研究
- 为了理解AlAs氧化层热稳定性、重复性差的机制,找到合适的氧化方法来得到高质量的AlAs层,本文对不氧化、刚氧化完和延长时间氧化的样品进行了Raman分析,通过实验发现适当延长氧化时间,可有助于As、As<,2>O<,3...
- 王文冲贾海强陈弘
- 关键词：热稳定性
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- 一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底及其制备方法
- 本发明涉及一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底及其制备方法。本发明提供一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底，包括砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延生长厚度为20～2000nm的含Al的半导体化合物层，上面覆盖厚度为5～500nm...
- 周均铭陈弘贾海强王文冲黄绮
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- GaAs SOI衬底上Metamorphic-HEMT材料的制备
- 本文介绍了GaAs SOI衬底上制备MM-HEMT材料的方法.器件结果显示了优良的电荷控制能力,降低了衬底漏电流和1/5噪声.
- 周均铭陈弘贾海强王文冲黄绮
- 关键词：GAAS衬底MM-HEMT材料
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- 1.GaAs基高In组分InAlAs/InGaAs异质外延生长;2.AlAs氧化的物性研究
- 该论文首先介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物的基本物理性质,引入异质外延概念,以及常用的异质外延技术,随后详细描述了分子束外延设备原理和构造.在此基础上介绍了作者在攻读博士学位期间所主要从事的两个方面研究工作:在GaAs基高In组分I...
- 王文冲
- 关键词：分子束外延高电子迁移率晶体管ALAS
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- 一种具有AlAs氧化层的半导体型材
- 本实用新型涉及一种具有AlAs氧化层的半导体型材，包括一常规半导体衬底、在其上依次采用公知的外延手段外延的缓冲层、AlAs氧化层和盖帽层，其特征在于：所述的AlAs氧化层为三明治结构，其包括在缓冲层上外延的一底层，在此底...
- 周均铭陈弘王文冲贾海强黄绮
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- 一种具有AlAs氧化层的半导体材料
- 本发明涉及一种具有AlAs氧化层的半导体材料，包括帽盖层、AlAs氧化层、缓冲层和衬底，其特征在于：所述AlAs氧化层为三明治结构，包括采用公知的外延手段在常规半导体缓冲层上依次外延的InAlAs底层，AlAs中间层和I...
- 周均铭陈弘王文冲贾海强黄绮
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- 一种制备在GaAs衬底上生长含Al外延层半导体材料的方法
- 本发明涉及一种制备在GaAs衬底上生长含Al外延层的半导体材料的方法，将GaAs衬底在真空中，以常规方法将其表面在As分子束保护下加热到580℃脱去表面氧化膜，然后通入As：Ga束流，生长GaAs缓冲层，在GaAs缓冲层...
- 周均铭陈弘王文冲贾海强尚勋忠黄绮
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- GaAs SOI衬底上PHEMT器件特性演示
- 为了验证GaAs SOI的优势,本文利用AlAs氧化制备的SOI GaAs(001)衬底,生长了PHEMT结构材料,并进行了材料特性和器件特性分析.
- 贾海强陈弘王文冲王文新李卫黄绮周均铭
- 关键词：晶体管直流特性
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- 一种具有AlAs氧化层的半导体材料
- 本发明涉及一种具有AlAs氧化层的半导体材料，包括盖帽层、AlAs氧化层、缓冲层和衬底，其特征在于：所述AlAs氧化层为三明治结构，包括采用公知的外延手段在常规半导体缓冲层上依次外延的InAlAs底层，AlAs中间层和I...
- 周均铭陈弘王文冲贾海强黄绮
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- 具有AlAs氧化层的半导体型材
- 2005年
- 编号：0501243 该实用新型专利是一种具有AlAs氧化层的半导体型材。
- 周均铭陈弘王文冲
- 关键词：砷化铝氧化层氧化速率
