2024年8月22日
星期四
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宁静
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132
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H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
化学工程
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合作作者
郝跃
西安电子科技大学
张进成
西安电子科技大学
王东
西安电子科技大学
柴正
西安电子科技大学
闫景东
西安电子科技大学
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作者
132篇
宁静
116篇
郝跃
115篇
张进成
83篇
王东
36篇
闫景东
36篇
柴正
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马佩军
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陈智斌
14篇
许晟瑞
13篇
林志宇
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张弛
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1篇
2006
1篇
2005
1篇
2002
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一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SOI晶圆的制作方法,包括以下步骤:1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上;2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端,距SOI晶圆边缘1cm;3)缓...
戴显英
宁静
吉瑶
邓文洪
刘颖
郑若川
张鹤鸣
郝跃
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阳极金属晶向一致的低开启电压GaN二极管及制备方法
本发明涉及一种阳极金属晶向一致的低开启电压GaN二极管及制备方法,本发明的GaN二极管包括:自下而上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层;AlGaN势垒层上设置有阴极;AlGaN沟道层和AlGa...
宁静
张弛
张进成
王博宇
王东
马佩军
郝跃
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基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)生长二硫化钼过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低V?Ш比氮化...
张进成
庞凯
陈智斌
吕佳骐
朱家铎
许晟瑞
林志宇
宁静
张金风
郝跃
文献传递
基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)制备黑磷过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低V‑Ш比氮化镓层;(...
张进成
朱家铎
陈智斌
庞凯
吕佳骐
许晟瑞
林志宇
宁静
张金
郝跃
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3D纳米多孔金属材料的制备方法
本发明公开了一种3D纳米多孔金属材料的制备方法,主要解决现有技术制备的金属或合金孔径尺寸大、比表面积低、孔隙率低和难以块体化的问题,其实现方案是:1)对泡沫型金属/合金基底进行清洗活化预处理;2)在预处理后的泡沫型金属/...
宁静
冯欣
王东
张进成
钟瑞霞
吕宝琴
郝跃
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一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法
本发明属于半导体制备技术领域,提供了一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法,该方法在衬底上利用电子束蒸发形成过渡族金属薄膜,通过控制电子束蒸发过渡族金属的流量、温度、压强、时间因素以控制过渡族金属薄膜的厚度,利用金属薄膜的表...
柴正
王东
宁静
韩砀
闫景东
张进成
郝跃
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基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法,包括以下步骤:1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上;2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端,距GeOI晶圆边缘1cm;3...
戴显英
王琳
张鹤鸣
董洁琼
文耀民
查冬
宁静
郝跃
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一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法,此肖特基二极管包括:从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层和钝化层;阳极凹槽,设置于所述缓冲层的上表面,且位于所述缓冲层、所述插入...
赵胜雷
朱丹
张进成
陈大正
王中旭
刘志宏
宁静
郝跃
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基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法
本发明涉及一种基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法,该方法包括如下步骤:(1)在α面的蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜;(2)通过金属衬底上石墨烯的转移技术,将石墨烯转移到磁控溅射氮化铝薄膜上;(3)对覆盖石墨烯的基板进行...
张进成
许新鹏
陈智斌
宁静
王东
郝跃
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六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法
本发明涉及一种六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法,该制备方法包括:步骤1:在衬底上制备氮化铝成核层;步骤2:在铜箔表面生长至少一层六方氮化硼层;步骤3:将六方氮化硼层从铜箔转移至氮化铝成核层上;步骤4:在六方...
宁静
武海迪
张进成
赵江林
白玲
王东
马佩军
郝跃
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