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唐飞: 作品数：31 被引量：3H指数：1; 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>; 相关领域：理学金属学及工艺电子电信化学工程更多>>

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一种氟化物晶体的退火坩埚及退火方法: 本发明属于氟化物晶体退火技术领域，具体涉及一种氟化物晶体的退火坩埚及退火方法，所述退火坩埚包括：外坩埚；设于所述外坩埚内部的内坩埚，所述内坩埚上设有多个通孔，所述内坩埚用于放置所述氟化物晶体和保护料，所述保护料包覆所述氟...; 苏良碧张博唐飞钱小波寇华敏王静雅姜大朋张中晗

一种提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法: 本发明公开一种提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法。所述提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法，包括如下步骤：步骤A：对氟化钙晶体光学元件的表面进行HNO3溶液酸洗；步骤B：氟...; 刘荣荣苏良碧王静雅姜大朋吴庆辉张博唐飞钱小波张中晗; 文献传递

一种光谱性能可调控的稀土离子掺杂碱土氟化物激光晶体及其制备方法: 本发明涉及一种光谱性能可调控的稀土离子掺杂碱土氟化物激光晶体及其制备方法，所述稀土离子掺杂碱土氟化物激光晶体的化学式为（Pr3+，R3+）:MF2，其中R...; 苏良碧于浩姜大朋钱小波唐飞王静雅; 文献传递

一种大尺寸氟化物晶体自适应退火坩埚: 一种大尺寸氟化物晶体自适应退火坩埚，包括：坩埚底盘，所述坩埚底盘具有位于径向内侧的底盘内环、位于径向外侧的底盘外环和连接所述底盘内环与所述底盘外环的下自适应层；坩埚盖，所述坩埚盖具有位于径向内侧的盖内环、位于径向外侧的盖...; 苏良碧张博唐飞寇华敏钱小波王静雅姜大朋张中晗

一种含有异形隔板的晶体生长装置和异形隔板: 本发明涉及一种含有异形隔板的晶体生长装置和异形隔板。生长装置包括炉壳，保温层，坩埚和发热体，保温层设置在炉壳内并形成一密闭中空腔体以提供晶体生长操作空间，发热体设置在保温层的内壁上用于提供晶体熔融的热源，坩埚包括从上到下...; 苏良碧王鹏飞姜大朋张中晗钱小波唐飞王一峰

Yb掺杂Ca(1-x)RxF(2＋x)(R=La,Gd)激光晶体的结构与光谱性能参数的研究被引量：2: 2017年; 采用坩埚下降法生长了两个系列晶体3at%Yb:Ca_(1-x)R_xF_(2+x)(R=La,Gd;x=0,0.01,0.03,0.06,0.09),测试了晶体的XRD、拉曼光谱、吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命。系统地研究了调剂离子La^(3+)、Gd^(3+)对Yb:CaF_2晶体晶格常数、拉曼光谱和光谱性能的影响规律,分析讨论了Yb^(3+)离子的结构与光谱性能之间的关系。研究结果表明,随着La^(3+)、Gd^(3+)掺杂浓度增加,晶体的晶格常数和拉曼半高宽都逐渐增大,这说明晶体膨胀和晶格振动模式种类增多。在3at%Yb:Ca_(1-x)La_xF_(2+x)晶体中,当调剂离子La^(3+)掺杂浓度为6at%时,具有最大吸收截面0.71×10-20 cm^2,荧光强度也最大;而在3at%Yb:Ca_(1-x)Gd_xF_(2+x)晶体中,当调剂离子Gd^(3+)掺杂浓度为3at%时,荧光强度最大,Gd^(3+)掺杂浓度为6at%时,具有最大吸收截面0.64×10^(-20) cm^2。共掺晶体相比于单掺3at%Yb:CaF_2晶体有更好的光谱参数。综上可知,通过调节La^(3+)、Gd^(3+)离子浓度,可以改变Yb^(3+)离子的结构,优化晶体的光谱性能。; 何益锋薛艳艳刘文庆苏良碧唐飞王静雅; 关键词：光谱性能

一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法: 本发明属于氟化钙晶体技术领域，具体涉及一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法。为解决特定使用场景下氟化钙晶体的抗辐照损伤特性，本发明通过控制氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子的含...; 苏良碧寇华敏王栋浩张中晗姜大朋吴庆辉王静雅唐飞

一种界面可视化的晶体生长观测装置和方法: 一种界面可视化的晶体生长观测装置，用于至少对坩埚下降法制备氟化物晶体过程的可视化观测，包括高真空生长装置，生长探测组件，坩埚旋转系统和控制系统，所述高真空生长装置和所述坩埚旋转系统围合形成生长空腔用以提供待生长熔体的生长...; 苏良碧张中晗吴庆辉姜大朋寇华敏唐飞张博钱小波

一种水冷籽晶杆: 本实用新型涉及一种水冷籽晶杆，所要解决的技术问题在于提供一种能够增大籽晶下端散热的水冷籽晶杆。所述水冷籽晶杆包括：下封块（1）、上支撑块（6）、连接于所述下封块（1）与上支撑块（6）之间的中空的支撑环（2）、以及位于所述...; 唐飞苏良碧钱小波吴庆辉姜大朋王静雅; 文献传递

用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置: 本发明涉及单晶生长技术领域。一种用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置。所述方法用于晶体生长装置，晶体生长装置包括主控发热体和辅控发热体，主控发热体用于控制生长装置的高温区间，辅控发热体用于控制生长装置的低温区间，自...; 苏良碧张中晗吴庆辉姜大朋寇华敏唐飞张博钱小波