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钱小波: 作品数：73 被引量：85H指数：6; 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>; 相关领域：理学电子电信化学工程金属学及工艺更多>>

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一种具有中红外宽带发光性能的晶体材料及其制备方法: 本发明公开了一种具有中红外宽带发光性能的晶体材料及其制备方法，所述晶体材料是在Bi<Sub>12</Sub>GeO<Sub>20</Sub>晶体中掺杂有2～4μm波段内不具有发光性能的金属离子的材料。其制备方法包括如下步...; 唐慧丽蒋先涛苏良碧徐军吴锋汪传勇姜大朋王静雅钱小波; 文献传递

一种界面可视化的晶体生长观测装置和方法: 一种界面可视化的晶体生长观测装置，用于至少对坩埚下降法制备氟化物晶体过程的可视化观测，包括高真空生长装置，生长探测组件，坩埚旋转系统和控制系统，所述高真空生长装置和所述坩埚旋转系统围合形成生长空腔用以提供待生长熔体的生长...; 苏良碧张中晗吴庆辉姜大朋寇华敏唐飞张博钱小波

多温区发热体及其制作方法: 一种用于晶体生长的多温区发热体及其制作方法，该方法是将不同阻值的发热元件组合在一起，或对一个发热筒体进行开槽处理，形成一串连的具有不同电阻值的加热电路发热体。电流通过不同阻值区段时产生不同的热量，从而形成不同的温区；通过...; 李红军苏良碧徐军钱小波周国清; 文献传递

Nd^(3+)∶Y_(0.5)Gd_(0.5)VO_4晶体光谱特性被引量：14: 2004年; 测量了 0 8at. %Nd3 + ∶Y0 .5Gd0 .5VO4的吸收光谱和荧光发射谱 ,光谱显示该晶体在 80 8 5nm有很强的偏振光吸收峰 ,且π偏振光 (E∥C)吸收远强于σ偏振光 (E ⊥C) 吸收 ,半高宽度分别为 4 5nm和 12nm ,吸收截面分别为 19 6 9× 10 -2 0 cm2 和 6 4 1× 10 -2 0 cm2 ;其荧光发射 (4F3 /2 → 4I11/2 跃迁 )峰值波长在 10 6 4nm ,半高宽度为 3 7nm ;4F3 /2 → 4I11/2 跃迁的荧光寿命为 110 μs;光谱特性表明Nd3 + ∶Y0 .5Gd0 .; 张连翰杭寅孙敦陆钱小波李世锋殷绍唐; 关键词：光谱特性吸收光谱荧光寿命

一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法: 本发明公开了一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法，所述方法包括以下步骤：将所需退火的氟化钙晶体放入坩埚中，用氟化钙碎晶原料掩埋覆盖，同时避免晶体与坩埚和空气直接接触；放入真空退火炉中，进行真空退火或气氛退火；所述退火工艺...; 姜大朋苏良碧王静雅钱小波唐飞吴峰徐军; 文献传递

高通量制备单晶光纤的装置和方法: 本发明提供一种高通量制备单晶光纤的装置和方法，涉及一种多孔石墨坩埚，所述多孔石墨坩埚包括坩埚体和坩埚托，所述坩埚体内部包括多个独立的生长区间；每个生长区间依次包括：上盖、上装料区、单晶光纤生长区和下装料区；所述单晶光纤生...; 苏良碧王绍钊钱小波唐飞吴庆辉姜大朋; 文献传递

光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能被引量：4: 2017年; 采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga_2O_3单晶相比,β-Ga_2O_3:In单晶在红外波段存在明显吸收。β-Ga_2O_3:In单晶的电导率在10^(–2)量级,Holl载流子浓度可以达到6×10^(19)/cm^2,说明掺杂In^(3+)对β-Ga_2O_3单晶的电学性能有明显改善。; 吴庆辉唐慧丽苏良碧罗平钱小波吴锋徐军; 关键词：晶体生长浮区法

193 nm激光下不同含量Y杂质CaF_(2)晶体辐照损伤研究被引量：2: 2023年; 氟化钙晶体的抗辐照性能是其在深紫外光刻应用中的关键性能之一,目前氟化钙晶体在193 nm激光辐照下的损伤过程尚不清楚。本文报道了193 nm激光辐照下氟化钙晶体的损伤行为及影响损伤的关键缺陷因素。通过193 nm激光辐照试验,发现晶体损伤主要表现为晶体内部产生的辐照诱导色心与表面产生的辐照诱导损伤坑。通过紫外–可见分光光度计对辐照诱导色心分析,并将不同色心吸收系数与Y杂质含量进行线性拟合。结果表明:Y离子具有与F心结构波函数发生重叠的低位轨道,两者发生轨道杂化易形成色心稳定结构;线性拟合结果表明Y离子含量与氟化钙晶体本征色心之间存在线性关系,说明Y元素是影响色心形成的关键杂质离子。实验表征了辐照诱导损伤坑的元素分布和结构缺陷。EDS结果表明损伤坑处伴随着钙元素含量上升和氟元素含量下降,证实H心扩散、F心聚集导致了辐照损伤;EBSD结果表明表面辐照损伤优先在位错处产生。因此,降低杂质含量及位错密度是提高氟化钙晶体在193 nm激光下抗辐照损伤性能的重要途径。; 王华进寇华敏王墉哲姜大朋张博钱小波王静雅朱琳玲曾爱军杨秋红苏良碧; 关键词：氟化钙晶体色心位错密度

基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法: 本申请涉及一种基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法，所述生长装置包括真空炉体，设于真空炉体内的环状多孔坩埚、中心单孔坩埚，附带电极的双加热体以及用于控制所述环状多孔坩埚和所述中心单孔坩埚同步升降的升降机构；所...; 苏良碧姜大朋唐飞钱小波张振张中晗王静雅张博寇华敏