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刘继芝

作品数：81 被引量：36H指数：4
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金四川省科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 57篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 36篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 2篇机械工程
  • 2篇医药卫生
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 27篇静电放电
  • 19篇ESD保护
  • 18篇导电类型
  • 15篇电路
  • 15篇触发
  • 12篇ESD防护
  • 11篇整流
  • 11篇重掺杂
  • 11篇静电放电保护
  • 11篇寄生
  • 10篇集成电路
  • 9篇整流器
  • 9篇鲁棒
  • 9篇鲁棒性
  • 9篇可控硅
  • 9篇可控硅整流器
  • 9篇硅整流
  • 9篇硅整流器
  • 8篇电子器件
  • 8篇硅表面

机构

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  • 5篇天津理工大学
  • 4篇天津大学
  • 2篇四川明泰电子...
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作者

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  • 5篇廖昌俊
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  • 4篇成辉
  • 4篇任敏
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  • 2篇杨凯
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传媒

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  • 1篇Journa...
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  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇实验科学与技...
  • 1篇教育教学论坛

年份

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  • 12篇2019
  • 15篇2018
  • 2篇2017
  • 9篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2006
  • 1篇2002
共 81 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
“微电子器件”课程三元教学法的研究被引量：5
2016年
本文介绍在"微电子器件"的课堂教学中,将课堂讲授、实验测试和器件仿真三种教学方法有效地结合起来,形成"微电子器件"课程的三元教学新方法,使学生从被动学习变为主动的、创造性的学习,有效加深学生对器件物理机制的理解,提高教学质量。本文对"微电子器件"课程教学有一定的指导作用。
刘继芝廖昌俊任敏张庆中陈勇
关键词：微电子器件教学方法
一种用于低压防护的SCR器件
本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种用于低压防护的新型SCR器件；该结构与传统的LVTSCR结构相比，增加了一条静态电压检测电路，该电路在ESD事件发...
刘继芝宋施雨侯飞黄美晨刘志伟
文献传递
一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件
本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种利用二次回滞特性的提高维持电流的高鲁棒性SCR器件。该结构与传统的SCR结构相比，调换了N型阱区中N型重掺杂区和P...
刘继芝彭钰航
一种用于静电保护的快速开启SCR器件被引量：1
2016年
提出了一种用于提高静电泄放(ESD)保护器件开启速度的SCR器件(VSCR)。VSCR采用了新型的横向基区变掺杂结构(VLBD),其开启速度主要由寄生p-n-p和n-p-n晶体管的基区渡越时间决定,使用VLBD结构能够减小寄生双极型晶体管的基区渡越时间,从而提高SCR器件的开启速度。实验结果证明,在不增加掩膜版数量和芯片面积的前提下,相比于传统均匀基区掺杂的MLSCR器件,采用VLBD结构的VSCR器件的开启速度能够提高12%。
廖昌俊刘继芝刘志伟
关键词：静电泄放SCR内建电场
槽栅槽源SOI LDMOS器件结构设计与仿真
2015年
为了提高SOI(silicon on insulator)器件的击穿电压,同时降低器件的比导通电阻,提出一种槽栅槽源SOI LDMOS(lateral double-diffused metal oxide semiconductor)器件新结构.该结构采用了槽栅和槽源,在漂移区形成了纵向导电沟道和电子积累层,使器件保持了较短的电流传导路径,同时扩展了电流在纵向的传导面积,显著降低了器件的比导通电阻.槽栅调制了漂移区电场,同时,纵向栅氧层承担了部分漏极电压,使器件击穿电压得到提高.借助2维数值仿真软件MEDICI详细分析了器件的击穿特性和导通电阻特性.仿真结果表明:在保证最高优值的条件下,该结构的击穿电压和比导通电阻与传统SOI LDMOS相比,分别提高和降低了8%和45%.
石艳梅刘继芝姚素英丁燕红张卫华
关键词：比导通电阻击穿电压
一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件
本发明属于电子技术领域，提供一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件，用以降低双向SCR器件的触发电压。本发明双向SCR器件包括1个主器件、主器件两侧的n个、m个触发器件构成，触发器件为二极管器件，相邻近触发器件之间串...
刘志伟杜飞波刘继芝
一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件
本发明属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，用于降低现有MLSCR器件的触发电压。本发明低触发电压MLSCR器件在现有MLSCR器件基础上在跨接的第一种导电类型重掺杂区下方引入ESD注入...
刘志伟杜飞波刘继芝
文献传递
与CMOS工艺兼容、具有图腾柱结构的高低侧功率器件的驱动
该文首先简述了智能功率集成电路的研究和发展，从中可以得出该设计的目的：功率集成电路和应将功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上，以及实现其目的的重要性和必要性.其次，根据陈星弼教授的两个美国专利U.S.5,726,4...
刘继芝
关键词：智能功率集成电路功率器件
文献传递
一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件
本发明属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件。本发明依靠纵向BJT触发的SCR器件(VBTSCR)在传统LSCR器件基础上引入了一条额外的触发通路：通过在第一种导电类型阱区内引入ES...
杜飞波刘继芝刘志伟
文献传递
一种用于开关电源启动电路的新型自偏置高压器件结构被引量：6
2006年
设计了一种新的用于离线式集成开关电源启动电路的自偏置高压器件结构.对一个RESURF高压(功率)器件的此种自偏置方法进行了原理分析和仿真模拟.采用该结构集成开关电源的启动电路可以节省芯片面积,降低电路功耗,易于控制且可提供较大的芯片内部电源电压.
刘继芝陈星弼李定
关键词：开关电源启动电路自偏置高压器件
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