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刘志伟

作品数：93 被引量：7H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 85篇专利
  • 5篇学位论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 23篇电子电信
  • 13篇自动化与计算...
  • 4篇医药卫生
  • 3篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 28篇静电放电
  • 26篇ESD保护
  • 18篇导电类型
  • 17篇电路
  • 17篇保护器件
  • 16篇ESD防护
  • 16篇触发
  • 13篇集成电路
  • 12篇重掺杂
  • 11篇静电放电保护
  • 11篇寄生
  • 10篇整流
  • 10篇整流器
  • 10篇可控硅
  • 10篇可控硅整流器
  • 10篇硅整流
  • 10篇硅整流器
  • 10篇ESD保护器...
  • 9篇电阻
  • 8篇静电释放

机构

  • 93篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 93篇刘志伟
  • 52篇刘继芝
  • 10篇桑楠
  • 10篇石鹏
  • 10篇孙超群
  • 10篇杨霞
  • 10篇雷林
  • 9篇孙海泳
  • 7篇刘毅
  • 7篇田瑞
  • 7篇袁艺
  • 7篇杨姗
  • 7篇武琼
  • 6篇侯飞
  • 6篇黄文
  • 6篇刘凡
  • 6篇俞滨
  • 5篇杨雪娇
  • 5篇张国彦
  • 4篇吴开均

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 1篇2025
  • 4篇2024
  • 15篇2023
  • 4篇2022
  • 10篇2021
  • 8篇2020
  • 12篇2019
  • 11篇2018
  • 6篇2017
  • 8篇2016
  • 8篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 93 条 记 录，以下是 1-10
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一种应用程序完整性验证方法
本发明提供一种应用程序完整性验证方法。内核层捕获打开文件系统调用后，触发内核层中的验证代理模块；验证代理模块获取当前应用程序的文件描述符，通过该文件描述符查看应用程序，判断应用程序是否有完整性扩展属性值，验证代理模块获取...
杨霞桑楠雷林石鹏刘志伟孙超群孙海泳任飞吴开均刘维飞武琼袁艺杨姗李昊星唐伟文
一种基于锗硅异质结工艺的双向ESD保护器件
本发明属于集成电路静电放电保护领域，具体为一种基于锗硅异质结工艺的双向ESD保护器件，用于克服现有SiGe异质结双极型晶体管HBT器件不能实现相同的双向ESD保护能力的问题。该结构包括：第一种导电类型硅衬底，衬底上依次形...
刘继芝刘聂刘志伟
用于ESD防护的SCR器件SPICE模型等效电路
本发明提供一种用于ESD防护的SCR器件SPICE模型等效电路及其构建方法，所述仿真模型包括：小电流模块，PIN模块和切换开关模块。采用所述用于ESD防护的SCR器件SPICE模型，在ESD传输线脉冲测试时，可以有效提高...
刘继芝 王德康刘志伟戴丽萍
一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件
本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，具体提供一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，用以同时实现保护输入输出端口和电源钳位；本发明SCR器件包括1个主泄放器...
刘继芝何刚刘志伟赵建明
文献传递
一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件
本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护电路的设计，具体为一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件。该自偏置堆栈式SCR器件由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n-1个后级堆栈器件，所述后级堆栈器件...
刘继芝田瑞刘志伟
一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件
本发明属于半导体技术领域，提供一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件，创造性的提出双层埋式氧化物隔离层设计，将SCR主触发路径通路设置于深层的第一埋氧化层上，将辅助触发路径设置于表面的第二埋氧化层上，通过堆叠结构有效...
刘志伟刘毅郑子涵张慧何志远
一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件
本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件，用以克服SCR器件开启速度慢的问题。该SCR器件包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电...
刘继芝郭骏雄纪长志刘志伟
文献传递
一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件
本发明属于集成电路静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)保护领域，具体提供一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件；本发明基于HBT器件结构，采用基极浮空设计，作为ESD保护器件使...
刘继芝张群浩刘志伟赵建明
文献传递
一种基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件
本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro‑Static discharge)保护电路的设计，尤指一种二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon‑Controlle...
刘志伟杜飞波王琰侯飞刘继芝
文献传递
一种用于静电放电保护的紧凑型三端口低寄生电容SCR器件
本发明属于集成电路的静电放电(Electrostatic Discharge，简称ESD)保护器件设计领域，尤指硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier，简称SCR)器件，具体提供一种用于静电...
刘继芝刘屹琳杨霏龙刘志伟
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