黄锐
- 作品数：65 被引量：66H指数：5
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- 相关领域：理学电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响被引量：2
- 2004年
- 采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响。
- 魏俊红林璇英赵韦人池凌飞余云鹏林揆训黄锐王照奎余楚迎
- 关键词：等离子体化学气相沉积
- SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响被引量：2
- 2004年
- 以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 。
- 王照奎林璇英林揆训邱桂明祝祖送黄锐魏俊红
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜电功率大尺寸晶粒尺寸
- 光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响被引量：2
- 2006年
- 报道了SiCl4/H2等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄膜,在短时间光照或加上直流偏压后其室温暗电导随时间缓慢变化的行为.Raman散射谱结果表明,薄膜的晶态体积比大于70%.暗电阻的实验结果显示:材料具有弱的持久光电导效应;薄膜的暗电导在外加直流电场的作用下缓慢上升,电场反向后出现暗电导的恢复过程,而且暗电导变化速度与偏压大小和温度有关.根据异质结势垒模型,指出外加条件下载流子的空间分离和重新分布以及材料非均匀性造成的势垒是引起电导缓慢变化的主要原因.
- 余云鹏林璇英林舜辉黄锐
- 关键词：微晶硅光照
- 多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制被引量：10
- 2004年
- 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压的增加 ,晶粒增大 .而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数 ,通过工艺参数的改变 ,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化 ,指出“气相结晶”
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训姚若河黄文勇魏俊红王照奎余楚迎
- 关键词：活性基团晶粒大小等离子体增强化学气相沉积工艺参数PECVD多晶硅薄膜
- 基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究被引量：4
- 2014年
- 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光.在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.
- 林圳旭林泽文张毅宋超郭艳青王祥黄新堂黄锐
- 关键词：纳米硅氮化硅电致发光
- 以SiCl4-H2为气源制备的多晶硅薄膜的结构特性
- 以SiCl-H为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜。用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶的颗粒尺度逐渐增大。用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,发现表面是由许多球形、近球...
- 林璇英黄创君余运鹏余楚迎林揆训魏俊红黄锐
- 关键词：多晶硅薄膜低温晶化
- 文献传递
- 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法
- 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH<Sub>4</Sub>)和氨气(NH<Sub>3...
- 黄锐陈坤基董恒平王旦清李伟徐骏马忠元徐岭黄信凡
- 文献传递
- 用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究被引量：1
- 2009年
- 以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致。通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35 nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜。
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训
- 关键词：生长速率
- 掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究
- 2010年
- 采用等离子体增强化学气相沉积方法低温制备非晶氮化硅薄膜,在低温下以氧气为气源,等离子体氧化非晶氮化硅薄膜,以这层薄作为有源层制备电致发光器件。实验结果表明以此方法制备的器件在正向偏置电压下可观测到强烈的黄绿光,发光峰位于540 nm,而且电致发光开启电压低,仅为6 V,功耗小。光致发光谱和电致发光谱测量表明发光来自同一种发光中心,即与Si-O相关的发光中心。
- 黄锐王旦清王祥陈坤基
- 关键词：氮化硅电致发光光致发光
- 利用等离子体原位和实时诊断发光量子点衰退的方法
- 本发明公开了一种利用等离子体原位和实时诊断发光量子点衰退的方法。该方法的主要步骤为：将不同的反应源气体通入反应腔，利用射频信号产生辉光放电，提供活性反应基团，同时，利用等离子体辉光放电中的辉光来激发钙钛矿量子点，使其产生...
- 黄锐林圳旭宋捷张文星
- 文献传递
