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郭艳青

作品数:38 被引量:12H指数:2
供职机构:韩山师范学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 2篇经济管理
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 19篇发光
  • 7篇掺杂
  • 5篇稀土
  • 5篇稀土掺杂
  • 5篇量子
  • 5篇纳米硅
  • 5篇发光特性
  • 5篇钙钛矿
  • 4篇微电子
  • 4篇微电子工艺
  • 4篇量子点
  • 4篇纳米
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇光效
  • 4篇光效率
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇发光效率
  • 3篇氮化
  • 3篇电致发光

机构

  • 37篇韩山师范学院
  • 4篇南京大学
  • 3篇华中师范大学
  • 2篇太原理工大学

作者

  • 38篇郭艳青
  • 32篇黄锐
  • 30篇宋捷
  • 23篇宋超
  • 20篇王祥
  • 13篇张毅
  • 10篇林泽文
  • 10篇李洪亮
  • 3篇丁宏林
  • 3篇王岩
  • 2篇任中洲
  • 2篇黄新堂
  • 2篇陈坤基
  • 2篇张文星
  • 2篇李伟
  • 2篇李洪亮
  • 1篇王旦清
  • 1篇马忠元
  • 1篇徐骏
  • 1篇张奕雄

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇发光学报
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇广东化工
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇韩山师范学院...
  • 1篇科技信息
  • 1篇中国科教创新...
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇第四届全国掺...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2007
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究被引量:4
2014年
利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光.在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.
林圳旭林泽文张毅宋超郭艳青王祥黄新堂黄锐
关键词:纳米硅氮化硅电致发光
势垒层对硅/硅氮氧多层膜电致发光的影响
王祥宋超郭艳青宋捷黄锐
关键词:电致发光势垒
硼掺杂纳米硅薄膜的热退火效应研究
2011年
采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜,然后经过不同温度的热退火处理,获得硼掺杂纳米硅薄膜.结果表明,退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,在1 000℃时,薄膜的晶化率达到77%,晶粒大小为3.9 nm.退火温度低于600℃时,光学带隙随着退火温度的升高而变窄,高于600℃时,带隙随着退火温度的升高而展宽,对此讨论了缺陷态和晶化度对样品光学带隙的影响.
林泽文宋超王祥黄锐郭艳青宋捷
关键词:硼掺杂纳米硅热退火光学带隙
有序纳米阵列结构的制备方法
本发明公开了一种有序纳米阵列结构的制备方法,包括以下步骤:提供基底材料;在基底材料表面铺陈第一层PS小球自组装单层薄膜;进行第一次等离子刻蚀形成前一级有序纳米阵列结构;去除第一层PS小球自组装单层薄膜;在基底材料表面铺陈...
宋超黄锐王祥宋捷郭艳青林圳旭张毅
具有荧光加密防伪特性的长余辉纳米粒子及其制备方法
本发明提供一种具有荧光加密防伪特性的长余辉纳米粒子及其制备方法。该长余辉纳米粒子由两种纳米粒子构成:作为干扰信息的ZnAl<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>O<Sub>(2+3x+4y)/2</Sub>...
张毅黄锐李洪亮林圳旭宋捷郭艳青杨庆姚婧张珊
下转换发光材料的制造方法
本发明公开了一种下转换发光材料的制造方法,形成步骤包括:步骤一、提供多靶磁控溅射设备;步骤二、安装多个靶材,靶材根据所要形成的稀土掺杂氧化物进行选取,稀土掺杂氧化物的基质材料为稀土钒酸盐或稀土铌酸盐,靶材包括:基质材料对...
宋超郑桦黄锐郭艳青王祥宋捷林圳旭张毅李洪亮
一种在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上直接快速制备单层石墨烯的方法
本发明公开了一种在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上直接快速制备单层石墨烯的方法,主要步骤为:先在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上淀积一层晶化金属催化材料薄膜,然后将固态碳源均匀涂于金属催化材料薄膜表面...
郭艳青黄锐宋捷宋超王祥李洪亮林圳旭张毅
快速热退火增强非晶SiC_xO_y薄膜蓝绿光发射特性研究被引量:2
2017年
采用甚高频等离子增强化学气相沉积技术,以SiH_4,CH_4和O_2作为反应气源,在150℃下制备非晶碳氧化硅薄膜,并对薄膜进行不同条件下快速热退火处理,研究快速热退火处理对其结构和发光特性的影响.实验表明,原始沉积薄膜在可见光全波段展现较强的光致发光特性,经过快速热退火处理后,其发光强度显著增强.薄膜在700℃经过快速热退火10s后,相比于原始沉积薄膜,其发光强度增强6倍,肉眼可见强的蓝绿光光发射.光荧光谱(PL)分析表明,薄膜的发光峰位不随激发波长的改变而发生明显变化.通过结合拉曼(Raman)光谱及傅里叶红外吸收(FTIR)光谱对薄膜的微结构及键合结构分析,分析了不同退火温度和退火时间对其蓝绿光发射增强机制的影响.
林圳旭宋捷黄锐王岩王怀佩郭艳青宋超
关键词:等离子增强化学气相沉积光致发光快速热退火
基于Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜结构的量子点构筑及发光特性被引量:3
2010年
利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上.
黄锐王旦清宋捷丁宏林王祥郭艳青陈坤基徐骏李伟马忠元
关键词:多层膜
对A=11同质异位素核的奇异性质研究
2011年
在单粒子势模型的框架下,通过在核中心势中引入l2修正项(l表示核子的轨道角动量),计算了A=11同质异位素核的均方根半径值、能级值和密度分布.理论计算得到的半径值和能级结构与实验结果一致.特别是,理论计算能够同时实现镜像核11Be和11N中2s1/2-1p1/2能级间的反转,从而解释了11Be和11N的反常的自旋宇称值.此外,理论结果表明11Li基态为双中子晕态,11Be基态和第一激发态为单中子晕态.
郭艳青宋捷
关键词:中子晕
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